三极管icbo的简单介绍

发布时间：2023-09-22

阅读量：49

本文目录一览：

Icbo指在CB之间加一个电压，测CB之间的电流，同时E脚悬空。Iceo指在CE之间加一个电压，测CE之间的电流，同时B脚悬空。

阁下问对人了，Icbo是指三极管的发射极开路，集电结反偏时，流过集电结的反向漏电流，此值越小越好。一般硅管的Icbo在纳安级，可忽略不计。Iceo是指基极开路时，流过三极管集电极-发射极之间的电流。

Icbo是集电极反向电流，Iceo是集电极穿透电流。由于这两个电流比正常工作时的电流要小得多，将三极管理想化时都忽略不计，以简化分析和计算。

Iceo 与 Icbo 分别是CE、CB之间的漏电流，测试时在CE之间加一个电压，B悬空，测CE之间的电流；在CB之间加一个电压，E悬空，测CB之间的电流。

字母c表示三极管的集电极，b表示基极，e表示发射极。o就是英文单词open的第一个字母，意即开路。

Iceo 与 Icbo 分别是CE、CB之间的漏电流，测试时在CE之间加一个电压，B悬空，测CE之间的电流；在CB之间加一个电压，E悬空，测CB之间的电流。

e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。(2) V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。此时流经c-e极的是ICEO。

Iceo是穿透电流。穿透电流是指在基极B开路，集电极C发射极E两极在规定电压时之间的漏电流。也就是器件手册上的Iceo。锗材料晶体管此电流非常小，用万用表一般是量不出来的。

三极管icbo的简单介绍

1、三极管是电流控制型器件，其 Ie = Ib + Ic 。其Ic受控于Ib，需要基极与发射极有控制偏置电路，形成控制电流 Ib。Ib很小，小功率器件在实际应用中，Ib与Ic相比可忽略，线性放大电路工作状态，Ie ≈ Ic 。

2、α=Icn/Ie，反映集电级从发射级吸收电子的能力，α小于1接近于1，Ic=Icn+Icbo；结合前面几个关系有Ic=（α/1-α）Ie+（α/1-α）Icbo ；令β=（α/1-α），βIcbo=Iceo 康华光编的书有，说得蛮详细的。

3、严格来说，应该是Ie=Ic+Ib；但对于β很大的晶体管，它的基极电流Ib很小，所以近似有Ie≈Ic。（β≈Ic/Ib）可见，如果晶体管的电流放大系数不是很大，那么近似关系Ie≈Ic就不对了。当然，这种晶体管一般是很少采用的。

4、实际应用中没有这样做的，因为开关作用经常被用于控制电路，例如电机启动、停止。放大作用经常用于小信号模拟电路中，例如家电音响、通讯等等。日常生活中没有同时使用一个三极管兼做2个任务的例子。

5、集电极电流 = 基极电流的 β倍发射极电流 = 基极电流 + 集电极电流 = 基极电流的 (1+β)倍 β为三极管的共发射极电流放大倍数，即HFE。

6、同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

1、ICBO是指在共E极状态下的直流放大倍数用hFE表示；截止频率特性用fT表示。

2、用这个参数可以指定该管的.电压电流使用范围。hFE 电流放大倍数。特征频率fT 当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=fo。

3、三极管的主要参数：特征频率：当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。

4、是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是NPN型小功率三极管。也可用作开关三极管。注意：9013功率小于9014，相互替代时应考虑电流大小。

5、电流电压来指定使用范围；PCM允许耗散功率；HFE则表示电流的放大倍数；FT特征频率表示完全失去电流放大，工作频率大于特征频率，那么这个电路是不正常的；VCEO饱和电压。