mos管的vgs与vth（mos管的vtn）

发布时间：2023-05-24

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1、管径DN80，管道混合器DN125就可以了，最好采用工程塑料材质。

2、静态指标有：量程，稳定性，重复性，线性度，阈值，分辨率，温度系数，噪声等；动态指标有：带宽，幅频特性，相频特性，响应时间，恢复时间，迟滞或者叫滞环等。

3、最大整流电流IF IF是二极管参数的一个专用参数符号，是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。

mos管的vgs与vth（mos管的vtn）

门极漏极之间的电压，也就是电势差。如果都用源极作为参考点的话，那么可以写成电势差Vgs-Vds 的形式。即临界时，Vgd=Vgs-Vds=Vth，即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。

mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。

当Vds增加到Vds=Vgs-Vp，即Vgd=Vgs -vDS=Vp(夹断电压)时，漏极附近的耗尽层即合拢，沟道宽度为0，这种状态称为预夹断。

比如说，Ugs=10V，Uds=1V，肯定是在可变电阻区了，也就是饱和状态。你的这个图里，Ugs(th)没有说明，这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。

Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。