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晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。
由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件。
MOC3083当然是可控硅光耦了，它内部的发光二极管端就是可以由电路控制的，如用单片机控制。而内部光敏一端就是一个过零触发的双向可控硅，可以控制一个外部的双向可控硅，而外部的可控硅就可控制交流电路了。
当光耦二极管有电流流过时，光耦的可控硅导通，当R3上的电压达到外可控硅导通电压时，外可控硅导通。电阻R2是分压电阻，防止光耦的可控硅导通时，电压过高，把外可控硅的控制端打坏。
只能驱动可控硅模块，固态也是可控硅，触发方法不一样。 G1G2G1G2G1G2的输出电压很小，可以用示波器看波型。
区别就在于，可控硅就是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。
用COS 集成电路4013（双D触发器，工作电压为12V）组成一双稳态电路，再用一晶体管和一电阻组成电压跟随器，去触发固态继电器的触发极，即可实现你的要求。
在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。
1、小时。触发器有宽脉冲，双脉冲和脉冲列等几种脉冲触发方式。空载时脉冲幅度大于13V。触发功率大，工作稳定可靠。
2、可控硅的4种触发方式：强电触发： 采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。
3、可控硅本身开路，触发信号不能使可控硅导通。电网电压全加在触发器上。正常情况，可控硅导通，电网电压由负载承担。
4、BT151：BT151是一种常用的低功率可控硅，它具有较高的电流和电压承受能力，内置旁路技术触发器，可以提高其可靠性。
5、例如，触发器可以使用另一个表中的 SELECT 比较插入或更新的数据，以及执行其它操作，如修改数据或显示用户定义错误信息。触发器也可以评估数据修改前后的表状态，并根据其差异采取对策。
可控硅本身开路，触发信号不能使可控硅导通。电网电压全加在触发器上。正常情况，可控硅导通，电网电压由负载承担。
可控硅烧毁的主要原因如下： 可控硅的耐压不够，你需要认真核对两种可控硅的耐压。 可控硅的触发电流不同，你的可控硅的触发电流可能较大，而原电路的触发电流不够，所以造成可控硅发热烧毁。 可控硅散热不好。
一，可控硅质量不行。二，单相电流瞬间过大击穿。三，长时间过载运行老化自然损坏。
1、可控硅的移相触发：可控硅需要在控制极施加触发电压才能导通，在可控硅交流调压电路中，改变触发脉冲相对输入交流波形的位置，可使可控硅得到不同导通角来改变输出电压。
2、双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。
3、③触发脉冲要有一定的宽度以保证晶闸管可靠导通。触发脉冲的宽度最好取20～40us。④触发脉冲前沿要陡，以保证触发时间的滩确性口一般要求前沿时间不大于10us。
4、现在绝大多数触发器都是使用可控硅或高压触发二极管的电子触发器，常用的型号有：OSRAM 的 CD-7 飞利浦的 SI51 SN58 爱伦的ALK400等 双稳态触发器 基本电路如图1的上半部。它由两个反相器直接耦合而成。
关键词：发光二极管 可控硅的 高压光耦 可控硅 继电器 可控硅光耦 电阻 三相可控硅 分压电阻 双向可控硅 驱动可控硅 固态继电器 光耦
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