mos管功放电路图（mos管功放特点）

发布时间：2023-05-24

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VMOS管的结电容不随结电压而变化，无一般晶体管结电容的变容效应，可避免由变容效应招致的失真。频率特性好。

如图所试：这是一个用3DJ6结型场效应管制作的单管放大器，其中电路元件参数：C1=0.1微法（无极性电容），C2=10微法50伏电解电容，接D级一端为正极。CS=7微法50伏电解电容，接地端为负极。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

很理想。有源均压法：有源均压法可以得到低阻均压，并且可以用多层，这就等于有了高压器件了。若将有源均流称为行，有源均压称为列，则就组成了功率管距阵电路，功率要多大有多大，均流所用的器件最好是场效应管。

为此，笔者采用了大功率场效应管推动大功率三极管。由于大功率三极管售价低，易配对，从而降低了制作难度。并且场效应管参与功率输出，推动级静态电流高达300～600mA，从推动级开始，功放便工作在甲类状态。

mos管功放电路图（mos管功放特点）

Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。

该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。

输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。

下面的运放输出肯定是电压。负反馈特性，最终必然使7点的电压恰好使Q7维持这样一个电流，该电流的大小等于5点的电压除以R7，这是负反馈的特性使然。