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1、二极管刚开始导通的电压称作为导通电压，一般硅管大约是0.5伏，锗管大约是0.2伏 当二极管正常工作时的电压称管压降。
2、开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。就其伏安特性曲线来说 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。
3、在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。
4、这时二极管表现出的特性就是“正向特性”，亦即二极管正向应该是导通的。
5、二极管的开启电压就是正向电流增大（一般规定为1mA）时的正向电压。一般考试不会很为难你的话，他会把图上第一象限的起始部分画的非常接近X轴，然后电流突然开始增加。
6、二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。
开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。
二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。
二极管分为硅管和锗管，硅管最为常用，开启电压约0.5V左右，也就是说正向施加0.5V的电压硅二极管内部就用电子运动，证明已经开启。如果要二极管完全导通就要约为0.7V的正向电压，因为硅二极管有0.7V的压降。
不同材料的pn结，二极管，三极管导通电压不同，硅材料三极管，硅材料二极管，硅材料pn结导通电压为0.5-.7伏左右，锗材料pn结，锗材料二极管，锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。
对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。最高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。
1、开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线 开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。
2、导通电压就是死区电压，只不过应用的场合不同罢了。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫导通电压。锗管0.3左右，硅管0.7左右。
3、似乎没有太大的区别，但也不完全一样。我的理解：开启电压是说小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。
4、开启电压是刚开使导通时的正向电压（电流很小），正向导通电压是额定工作电流时的正向电压。开启电压低于正向导通电压。
5、一般来说，开启电压是对PN结而言的，二极管除了PN结外，还有一些引脚等附属部分，会损失一点压降，因此二极管的开启电压一般要小于导通电压。
和基板与渗入材质有关，也就是PN节材质，比如锗管是0.3V，硅管0.7V。
影响二极管的主要因素是温度啊。还有通电电压，掺杂浓度等~~半导体由于其本身结构特性，不像导体那么容易导电，不像绝缘体那么不易导电，其导电主要靠自身的电子摆脱共价键的束缚形成自由电子和空穴。
形成内部电场和空间电荷区，这种电场又进一步造成了空穴和电子的运动(称之为漂移运动)，最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区不再扩大，内部电场保持稳定。
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