mos可控硅（可控硅模）

发布时间：2023-05-24

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可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。

这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。

mos可控硅（可控硅模）

1、mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。

2、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

3、性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。

4、MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。

5、可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。

6、可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。

1、控制220V交流电压不用MOS管，因为MOS管的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。

2、场效应管不能直接控制交流电的，可以选用双向可控硅，这样无触点开关，就不会造成单片机干扰重启了。或者用固态继电器也可以，实际上固态继电器里面也是可控硅。

3、因为mos管通入的是交流电。MOS管通常被用作电源开关使用，通常使用PMOS做为上管，将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景，但使用较少。此贴为科普贴，就不做累述了。

4、可以用中间继电器（直流24V线圈）的辅助触点控制交流接触器的吸合或断开，间接的控制电机的启停：上图中的红圈位置，是中间继电器的插座，11和10端子是继电器的线圈，加载DC24V后吸合。

5、是通过精准控制栅极电压来实现的。有空的话，百度下，多多主动去了解相关知识，没有坏处的。

6、可以。mos因为使用方便操作简单所以可以改变电压和频率，mos管是一个通过改变电压来控制电流的元件，所以可以用它来放大信号，或者当做开关。