12vmos管（12vmos管型号）

发布时间：2023-05-24

阅读量：48

本文目录一览：

1、N沟道的MOS管导通只要Vgs大于其开启电压Vth即可。但其阻抗R=1/K（Vgs—Vth—Vds），所以在MOS管做好后，其阻抗与Vg成反比。

2、可以的，n沟道导通电压是.07V，加一伏特是可以的。同理，p沟道是-.08v导通，回答完毕。

3、小功率n沟道场管，没有5v以下饱和导通的，如果你要用5伏控制它可以用三极管来个电平转换。

4、NMOS增强型，ugs(th)一般是正数，最常见的是在2-4V之间，正常导通时的UGS一定大于Ugs(th)，因此也一定是一个正数。

5、因为图中用的Q1是N沟道的MOS管，N沟道的MOS管如果想要让它导通的话必须使其Vgs电压大于阀值电压，一般都是12-15V，因此需要现在对Vg的电压进行抬升，也就是我们所说的高端驱动。

6、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

MOS管不饱和，压降高。原因可能是MOS管驱动问题，要加个中间级。振荡频率过低。储能电感偏小或漏感大。

， MOS管温度过高，有很多原因导致 2，你可以看看你设计负载和你实际使用负载差异多少？3，MOS是贴片还是直立？如果是直立是否有散热片，贴片是否有加大Layout面积？4，使用示波器观察一下MOS的G，D波形。

建议查看一下MOS管的栅极驱动电压，假如电压低于12V它的导通电阻就会比较大，工作电压降落在漏极和源极之间的电压就会比较高，那么工作电流乘以这个电压就成为发热功率。必要时需要专门用一个升压器，为驱动栅极工作。

开关电源的散热设计 MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。

只要功率，耐压，电流这三大特性能达到或超过原三极管的是可以的，只是有些要在线路上改动一下。因它的G极电压要求的比一般三极管高。现的成规开关电源产品大量的就用它了。

不能直接代换。因场效应管的驱动比双结型三极管小很多，必须修改电路参数才行。

可以。明纬350-12v可以改可调电源。简单的改装方法是在电压输出端加电子可调电位器，即成可调电源。明纬电源性能稳定，适应性好，改可调电源也方便。

之所以用MOS驱动是因为单片机I/O驱动能力很弱（一般只有500mA左右的电流）。D14的作用是为Q1和Q4组成的互补输出电路提供开启电压，让QQ4始终在开启状态。电源改成12V你不需要改任何东西。

12vmos管（12vmos管型号）

不同的器件导通电压不同，一般高压器件在7-10V之间，低压器件3-6V之间，低内阻器件还会更低。

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。

一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。