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漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
选在MOSFET一般有两个标准,一个温度,一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括,通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。
当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
首先需要确定最基本的参数,即最大耐压值,和能忍受的最大电流值,然后根据你设计的电路,来选择型号,另一方面MOSFET就需要注意Rdson,因为这个值直接影响到它的开关损耗,继而影响到温度,再影响到耐压值,所以选的Rdson要小。
从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型。
海飞乐技术&台湾工研院联合开发的IGBT芯片。
额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数,额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数,引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求,再就是考虑性价比和供货。
MOS管一般用在小功率焊机上,MOS管一般特性就是小电流比较稳定,成本低廉,小型号民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上,稳定性和频率比MOS管更稳定,只是造价比较高,一般用在工业焊机。
有关IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。
MOS管:管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。三极管:是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
mos导通电压低,控制方便(电压驱动),功耗低。
三极管:电流控制器件,输入阻抗低,以正电位控制居多。MOS:电压控制器件,输入阻抗高,选用不同极性可实现不同极性电压的控制,即正或负电位都可控制。
1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力;输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制;开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率; MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
2、,根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft,一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%,所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关,依据Rds选择是注意其余温度的关系。2,还有一种方法就是给定一个温差,然推出Rds。
3、Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
4、选用合适的输入电压规格;选择合适的功率。为了使电源的寿命增长,建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源,则建议挑选大于130W输出功率额定的机种,以此类推可有效提升电源的寿命。
关键词:mos管
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