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1、三极管三个电极的电流关系为:Ie = Ib + Ic。当他工作在放大状态时,IC 由什么决定:由 Ib 决定。其关系式是:Ic = 贝塔 * Ib。
2、三极管各电极上的电流分配关系为:发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE,集电极电流IC大于基极电流IB,集电极IC=β基极IB。
3、三极管是一种电流放大器件。 在三极管时,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,一旦接通电源后,对两者不作严格区分,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,两者除了电源极性不同外。
1、双极型晶体管处于放大状态时,三个电极电流的大小关系是IE=(1+β)IB。IC受IB的控制,与UCE的大小几乎无关。
2、三极管各电极上的电流分配关系为:发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE,集电极电流IC大于基极电流IB,集电极IC=β基极IB。
3、三极管各极的电压是由外电路决定的,并不是三极管本身决定的。
4、Ic与Ib是维持一定的比例关系,这样,通过电阻转变为电压放大作用,在基极补充一个很小的Ib, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为,就可以在集电极上得到一个较大的Ic。
5、也就是放大状态下,基极的电流大一点,集电极的电流也会跟着变大,并且ic与ib存在一定比例关系,ic=βib,β是直流电流放大系数,表示三极管放大能力的大小。当三极管发射结正偏,集电结正偏时,三极管工作在饱和状态。
6、Ic是指三极管的c极(集电极)的电流。Ic(的变化)是多大,是要看从基极流到发射极的电流Ib来决定的,一点点小的Ib变化,就能导致很大的Ic变化,这就是所谓的三极管的放大作用。
三极管的电流分配关系是基极电流等于发射极电流加上集电极电流。
三极管各电极上的电流分配关系为:发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE,集电极电流IC大于基极电流IB,集电极IC=β基极IB。
三极管是电流放大器件,如果在放大状态下,基极与集电极电流有固定的倍数关系(取决于三极管的自身参数);放大状态下,发射极电流=集电极电流+基极电流。
e,b,c三个极 发射极电流ie=基极电流ib+集电极电流ic 三级管是电流放大器件,在放大状态下,ib与ic与成固定比例,这是三级管的一个很重要的参数,用β表示。ic=βib β一般从几倍到上百倍都有。
即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和,这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。
不一定。看管子的,看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必。
从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
N沟道MOS管也就是说S、D为N+区,其沟道为N型,即为电子。N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道,而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
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