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选用三极管时,一般应考虑以下几个因素频率及电极电流电流放大系数,反向击穿电压,饱和压降,消耗功率以及稳定性等。希望对您有用。
小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定,一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。
冰箱电路中三极管的型号在选择时应该参照以下参数:最大反向耐压、最大集电极耗散功率、最大截止频率等。工作参数只能在极限参数以下。三极管是一种常见的电子元件,由于应用范围很广,市场上也有多种品牌及型号。
基极电阻要根据三极管的Hfe来算,同时必须满足饱和导通的条件。建议你选用的三极管Hfe最好至少大于100,基极电阻在2K到3K左右适当选取,不能大了。
1、是低噪声高放大倍数(高增益)NPN三极管,他的放大倍数通常都在400左右。与之配对的PNP三极管是9015 。严格地说,9013不能代换9014,因为9013的增益远低于9014!9013更适合用于电流较大的继电器驱动等电路中。
2、和8550是配对三极管,8050是NPN极性,8550是PNP极性。所谓配对管,就是主要参数几乎完全相同,但极性却相反的三极管,在某些电路中(比如乙类放大电路)成对使用,因此称为配对管。
3、你好:——★三极管的工作状态决定了配对的概念不同:①、例如电子镇流器使用的开关管,为同类型(同为NPN,或同为PNP)配对管;②、一般推挽性质的功率管,要求PNP、NPN两种管型配对。
4、S9014的对管是S9015,S9013的对管是S9012,S8050的对管是S8550,三极管 S9013和 S9014不能互换,9013是低频小功率管,9014是高频小功率管,实际上9012和9013可以工作到50MHZ,集电极电流也较大。
5、A*31B是PNP型低频小功率锗材料三极管,和NPN型锗材料三极管3B*31B配对,可做小功率功放互补管。
1、如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
2、三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
3、如果你用的是普通51单片机,建议你用PNP的三极管,因为单片机灌电流能力比较强,一般可达20mA,而拉电流通常只有几十微安,所以设计成灌电流比较好,我常用2N5401的PNP三极管。
4、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。高速开关三极管用场效应管,速度都很快。
用作开关电路的三极管应用NPN(硅)或PNP(锗)均可,只是三极管基极所取的电流极性不同而已,前者为正偏电流,后者为负偏电流。
继电器控制三极管得考虑继电器的线圈电流,一般继电器24V(触电电流10A左右),可以用8050三极管,反向保护二级管就用1N4007。另外,NPN基极与555芯片的3号脚之间应该串接一个限流电阻(1k~10k)。
三极管是电流控制型器件。 Mos管是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。
三极管的集电极C和发射极E之间所能承受的最大电压参数为V(BR)CEO,工作时CE之间的电压不能超过规定的数值,否则三极管会永久性损坏,以9013为例VCEO为25V,即CE之间最大不能超过25V。
基极电阻要根据三极管的Hfe来算,同时必须满足饱和导通的条件。建议你选用的三极管Hfe最好至少大于100,基极电阻在2K到3K左右适当选取,不能大了。
1、高频小功率npn硅管 --- 它的型号就是3dg80 这是我国以前使用的型号,现在不用了。你可以差一些书就一些的无线电电子学的书,上面绘有介绍,也可以查一些新旧型号的对照表,找兼容的新型号的三极管。
2、是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。
3、集电极-基极击穿电压BVcbo(V);集电极-发射极击穿电压BVceo(V) 60;特征频率ft(Hz) 放大倍数 3M;代换型号 3DA205。
4、参数如下:8050引脚图:最大集电极电流(A):0.5 A。最大集电极-发射极电压(VCEO):25。特征频率:150 MHz。PE8050 硅 NPN 30V 5A 1W。3DG8050 硅 NPN 25V 5A FT=190 *K。
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