可控硅程序（可控硅ih）

发布时间：2023-05-25

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温度控制相对别的控制来说是一个惰性很大的玩意，在这用可控挂控制的过程中因对象或精度的不同常用的有二种控制法，一是最常用的移相控制，因这在小功率使时时，控制线路简单，在小功率时对电网干扰不大。

你似乎是用50ms中断定时就你的程序而言就有错：DJNZ TIMER，LP；时间未到转子程序返回，没有问题，但是时间到了，你除了重新给timer付值，也应该给出时间到的动作标志：cpl P0，等。

采纳答案是答非所问。C语言，调用汇编，才是高层次。不用汇编，偏爱用C，明显是瘸腿。

\x0d\x0a可控硅触发一般使用MOC3021，相关手册上有典型电路，CPU端接一个GPIO就可以。

结合1，2，3楼，考虑了溢出问题。花了好多时间才想出来了。希望对你有帮助。

可控硅程序（可控硅ih）

晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。

由于光耦合器输入输出间互相隔离，电信号传输具有单向性等特点，因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件。

MOC3083当然是可控硅光耦了，它内部的发光二极管端就是可以由电路控制的，如用单片机控制。而内部光敏一端就是一个过零触发的双向可控硅，可以控制一个外部的双向可控硅，而外部的可控硅就可控制交流电路了。

当光耦二极管有电流流过时，光耦的可控硅导通，当R3上的电压达到外可控硅导通电压时，外可控硅导通。电阻R2是分压电阻，防止光耦的可控硅导通时，电压过高，把外可控硅的控制端打坏。

MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

1、你需要的配置是晶体管输出plc，模拟量输入模块。模拟量输入模块采集温度，pid根据这个温度运算，输出值程序转化为占空比脉冲，脉冲触发可控硅动作。建议你用固态继电器，比较方便。

2、如果原来的设备就是用PLC直接控制加热的，那么后面的不是可控硅，而是固态继电器。

3、控制温度基本上有两种方法：一通过时间控制，温度不需要精确控制时就可以采取这样的方法，通过plc内的定时器控制输出端。

4、通过控制ON-OFF的时间或者组数（如果是多组的话）来控制温度在你的设定温度。应该是比较简单的事情，你可以直接运用PLC的温度控制模块，甚至直接编写控制ON-OFF的时间等，都应该可以的。

5、用以下方法plc控制可控硅调压。西门子有专用高速模块，固定扫描时间为1微秒，完全可以满足要求，型号是FM352。或者正负有压差，并且门级有控制电压，用PLC控制门级就行，并不是很难的。

1、控制电路现在变频调速器基本系用16位、32位单片机或DSP为控制核心，从而实现全数字化控制。变频器是输出电压和频率可调的调速装置。

2、可控硅必须检测过零信号。只有零点以后触发，才会有效。而且在下一个零点到来的时候，可控硅会自动关闭。你这个程序里面只有一句P=1，没有P=0，那么这个端口一直开启，没有关闭。负载将一直投入。不可能关闭。

3、模拟量输入模块采集温度，pid根据这个温度运算，输出值程序转化为占空比脉冲，脉冲触发可控硅动作。建议你用固态继电器，比较方便。