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内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。
这个二极管就是为这个电动势提供一个泄放的通路，由于电动势的方向与电源的方向相反，所以叫做反向电动势，二极管也是反向接入的。有了它，电动势就不会太高了，保护了半导体开关从而保护了其他元器件不至于损坏。
这个快恢复二极管是抗静电用，MOS管栅极阻抗很大，很容易感应高电压击穿栅极。这个二极管是个双向的稳压二极管保护栅极电压不会太高。
场管加稳压二极管的作用：稳压二极管被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。
这个二极管是保护二极管。电路接通时，因电压上正下负，二极管是截止的，没有电流通过。由于发热管这条通路电流非常大，若发热管本身存在电感，在通断瞬间会因电感产生很高的反电动势，危及发热管和下面IGBT管。
二极管在这里一是做两个运放输出端的隔离，二是达成驱动功率场效应管的“线与”作用。
如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性，是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。
内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。
这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。
一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
所以，整流桥不一定全是4个二极管组成的，只是4个二极管的整流桥比较常用，经常看到，它也叫全桥整流桥。
桥式整流电路使用四个二极管原因如下：E2为正半周时，对DD3加正向电压，DD3导通；对DD4加反向电压，DD4截止。
整流电路的负载上都有方向不变的脉动直流电压和电流。桥式整流的名称只是说明电路连接方法是桥式的接法，桥式整流二极管：大家常用的一般是由4只单个二极管封装在一起的元件，取名桥式整流二极管，整流桥或全桥二极管。
1、从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
2、CMOS成电路中的二极管一般用PMOS或NMOS实现，把MOS管中的栅极和漏极短路就可以得到类似于二极管的I-V特性。
3、这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。
1、mosfet 开关瞬间有可能产生反向电压，内置二极管一般作用为防止反向电压损坏mos管，当然内置也有不同类型二极管和不同作用以应用在不同功能电路上。
2、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。
3、那叫寄生二极管，每个mosfet里头都有一个的。
4、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
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