可控硅的压降（可控硅压降波形长什么样）

发布时间：2023-05-25

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对于同一个负载，流过它的电流越大，它上面的压降就越大的。它两端的电压越大。

产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。

没听说过这个说法，电流大小只关系到它容不容易导通，可控硅只要导通了在其导通阶段下其效果都是一样的，个人这么认为的。

三相可控硅整流电流变大怎么回事。可能负荷重，触发电路有故障，可控硅特性变差，电源电压不稳等因素都会引起电流变大的原因。

当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。曲线Ⅱ为导通工作特性。可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。

可控硅的压降（可控硅压降波形长什么样）

晶闸管的通态压降即导通状态，通过额定电流时，A，K之间的电压。 VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。

代表当电流通过二极管时电压会下降0.6-0.8V，比如原来电压为10V通过二极管后下降为5V左右，正向是指二极管有方向性，正向导通，反向截止.锗与硅二极管的性能不同所以压降也不同。

管压降理解为电流通过时两端的电压。电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。负载两端的电势差（电位差）就可以认为是电压降。电压降是电流流动的推动力。

1、铺铜，铜上再露网格状铜，网格的线条弄宽一些，譬如2mm，露铜的地方再上锡，这样的散热效果就会好些了。烤盘的功率怎么也有上千瓦吧，可控硅要选电流更大一点的。

2、加大散热可以驱动。散热器的散热面积至少是to-220的20倍，自然冷却。可以使用一个显卡上的带金属板小风扇，将你的晶闸管直接安装在金属板上，风冷散热。建议使用26A的晶闸管，也是TO-220封装，价格差异很小。

3、可控硅一般都有散热器，在散热器上放一个温度传感器（或者温度继电器），让这个温度传感器（或温度继电器）给单片机产生中断信号。

4、嗯，这个软启动开关显示可控硅过热的话应该是现在他的处理已经超载了这个时候的话，我们就应该关注关注这个系统。