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mos上管下管（mos管开关电路）

发布时间：2023-05-26
阅读量：70

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mos管上下桥同开嘛

不是越大越好，因为死区时间大会带来输出波形的失真及降低输出效率。桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。

三相桥的上桥臂和下桥臂共同起到换流的作用。　桥臂直通是指两个串联的电力电子开关器件同时导通，如果两端有电压，将导致直流电源短路，损坏桥臂功率器件。上下桥臂直通是指同侧的两个MOS管。

不是通用的。供电mos管上下管二者的作用不同，它们不是通用的，因此它们就不一样。MOS管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。

下面是卖东西的，都是老太婆太太上的火，卖的东西都非常便宜。

这种控制方式根据电机的位置来选择导通不同桥臂上下各一个MOS管，理解起来比较容易。

怎么量MOS上管和下管的好坏?

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。

测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

判断电动车控制器MOS管好坏可以使用万用表欧姆档。用测电阻法去简单判断MOS好坏，就是用机械式万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值与MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

．判别其好坏。用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。

场效应管怎么分上管下管?

1、简单点说：上管一个脚接电源，下关一个脚接地。 因此最简单的区分方法就是用万用表检查上管和下管的六个脚，其中一个接地的就是下管的G极。

2、场效应管的管脚排列规律是这样的：带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

3、具有阻抗高，输出电流大，输出内阻低，副温度效应等优点。场效应管有三个电极，g（控制极）d（漏极）s（源极）。p20nm60是n道沟，20a，600v场效应管，正面放置，引脚朝下，从左到右，依次为gds，三个电极。

4、民用级、军用级、车用级等等，它实在质量检验标准有所区别。不管级别如何，都是能正常工作的，主要是元件在环境的适应、功耗、稳定性（包括热稳定性）、寿命等等方面要求不同。但是，我好象没听过上管、下管的说法。

请教各位师傅们,如何区分主板中的上管和下管啊谢谢了,大神帮忙啊_百度...

主板供电部分采用3相实用供电设计，用料为全固态电容以及全封闭电感，可为双核处理器提供稳定支持。主板提供2个DIMM内存插槽，支持双通道DDR2 1066/800/667内存。提供4个SATA接口，支持3GB/s传输速率。板载超频按键，方便使用。

可先查晶体管特性手册观其有何特殊点，然后用近似三极管替代。若实无具体资料可查，可根据主板供电、其它三极管类别pnp或npn、安置信号流程位置、外型体积大小等已知条件用对应三极管替代。

、原装货：原厂生产出来的，分进口原装和国产原装。

与是否采用DDR3内存无关，可以使用；如果用AMD的处理器，内存控制器集成在处理器上，无法使用DDR3，只能使用DDR2，但主板支持的话是可以用的，但发挥不了DDR3的性能。内存会降频运行，性能会有一定下降。

你这款鑫谷是金牌电源，虽然用料比较省，但不烧CPU、主板！放心使用吧！如果还是不放心，就换个：安钛克VP500P。

．经过上述检查设置，于是怀疑可能是硬件问题。首先怀疑是键盘问题，于是我拿着键盘找装机商更换，换了一个新键盘，问题仍然存在。于是我把最后的希望放到了主板上。

供电mos管上下管为什么不一样

1、电性参数不一样，当然不能互代换。如要换也要找电性参数一样或型号一样的管来代换。

2、上管指的是P沟道一侧的管，下管指的是N沟道一侧的管。只要把场效应管连入电路，给合理的导通电平，能够实现合理放大，那么高电平端接的就是上管。否则就是接反了，高电平接的就是下管。场效应晶体管简称场效应管。

3、要求高的电路一般使用的上下管参数都不一样，但极性是一样的。MOS管D极接电感的为下管，S极接电感的为上管。

4、把采样R换成电感、B中或Vcc进D这路上串，：N采样、半波、全波、桥整流都可以、满足vpP｜v条件的反馈保护控制。栅下地不需接c、接c后会增加放电延时时间，对电路不利。

5、左图，负载是接在S对地，如果这个负载的值很小，比如是0.1R，那么如果给的G电压一直是高电平，MOS就容易烧（流过MOS的电流大）。

6、通常耐高压的mos管其反应速度比耐低压的mos管要慢，也就是说其工作频率相对会低一些。

关键词：供电mos管 二极管档 电容 正向电阻 电子开关器件 二极管击穿 电阻 开关器件 万用表的二极管档 寄生二极管 测电阻 mos管开关 mos上管下管

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