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可控硅内部的PN结，当T2加直流的时候PN结不能导通 TRIAC的触发特性：由于TRIAC为控制极控制的双向可控硅，控制极电压VG极性与阳极间之电压VT1T2四种组合分别如下：(1). VT1T2为正， VG为正。(2). VT1T2为正， VG为负。
万用表RXI低阻挡，两表笔任意接可控硅两个主电极，再用黑表笔点触一下可控硅触发极再离开，可控硅立即导通（万用表显示电阻减小），移开触发极，可控硅仍然保持导通不变（万用表读数维持没变）。
根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
可根据判断可控硅控制极（G）与阴极（K或A2）性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小，将万用表置于合适的电阻档，小功率的选择×10；大功率选择×100。短接两表笔较表，较对万用表指针在“0”的位置。
实验目的和内容 作出单色仪的校正曲线—单色仪的定标。 测定硅光电池的光谱响应—作出波长λ与硅光电池的灵敏度K(λ)的校正曲线。
什么是太阳能电池光谱响应测试？主要确定太阳能电池对光波长的敏感程度。
硅光电池相对光谱响应量正是研究这两方面的内容，研究可以检测硅光电池材料的光谱吸收范围，又能检测各个波段的硅光电池材料的吸收强度。
通过实验直接测得的光谱响应为外量子效率，其中计入了电池正表面的反射损失和背面的投射损失。
硅晶体电池的能隙宽带是固定的，即发电电压在0.5+-0.05V。光线弱电压高，光线强输出电压低而电流大。
非晶硅 采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度7～8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。
实际应用中，为了可靠地工作，可控硅的（电路设计时）触发电流都是大于10mA的。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
用电流卡表的交流档测量，也可以用电流互感器测量。
性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。
触发导通在控制极G上加入正向电压时(见图6)因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。
1、用两节电池串接手电灯泡正极对可控硅（A极）灯泡一端连接（K极），再用一根线把电池正极与（g，即控制极）碰一下，灯泡亮，说明是好的。如果在没碰之前亮，说明已经坏了。
2、测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
3、判断可控硅的好与坏最简单的方法：用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。
4、然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。
单向可控硅的检测：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
测量可控硅好坏的方法如下：万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
判断可控硅的好与坏最简单的方法：用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面，电阻应呈无穷大（表针基本不动），再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小，则说明该可控已损坏。
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