mos管导通电阻的简单介绍

发布时间：2023-05-26

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1、mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

2、N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。

3、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

4、mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K，那么并联的mos栅极与源极的泄放电阻是每个都用5k-10k还是加起来5k-10k。

5、并且还要看是硅管还是锗管。例如：硅管：PN结的正向电阻大约3--10kΩ，反向电阻大于500kΩ；锗管：PN结的正向电阻大约500--2000Ω，反向电阻大于100kΩ；（用此法还可以判断硅管和锗管）。

6、MOS管阈值电压，击穿电压，以及饱和导通时的电阻等等，是有一套设计计算程式的，不过这些都是元件设计厂商做的，然后将这些参数转为生产流程的控制步骤。

MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数；如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

MOS管阈值电压，击穿电压，以及饱和导通时的电阻等等，是有一套设计计算程式的，不过这些都是元件设计厂商做的，然后将这些参数转为生产流程的控制步骤。

mos管导通电阻的简单介绍

1、你好，MOS管DN3525N8-G导通电阻是 6 欧姆。

2、当然。那是管子产生损耗的一部份。例如导通电阻0.5欧与1欧，在同样电流下管子损耗就差一倍。需要的散热装置就要复杂很多。同时电路效率也差很多。

3、Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

4、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极。

用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。

可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。