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1、根据以上原理分析,在你的问题中,如果要使MOS管作在开关状态,就要对栅极施加足够的电压,它才能充分起到开关作用。
2、是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。UT — 开启电压。
3、因此,如果我们想让MOS管导通,需要将G端连接到高电平电源。要使MOS管的使能端为低电平,可以通过连接一个电阻器来将使能端连接到地面。当地面电势为低电平时,使能端口的电势也为低电平,从而使得MOS管工作被禁止。
4、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压,所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中,CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管,而内存插槽共用一组MOS管。
5、MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了,一般在相同电流下,额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。
6、和上一问一样,只有栅极和源极接正向电压才能导通,而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样,都会截止。对。选用开启电压低一些的,Vdss>5V,Idss>100mA即可,可以用AO3400。
如果MOS管没有完全饱和导通,必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话,必须加足够的散热器。
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA,300V的电压加在芯片上面,芯片的功耗为0.6W,当然会引起芯片的发热。
电路频率达到120kHz,原边绕组只要3圈就足够了,副边绕组只要230圈就可以达到700V电压了,高频驱动磁芯绕组,不用那么多圈绕组,功率会变小的。如果MOS管比较热,那就降低频率到20KHZ就可以了。
数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管很容易发热。另外,慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。
1、对于高频磁性材料引起的损耗,要尽量避免趋肤效应,对于趋肤效应造成的影响,可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。
2、对抗性方法:强制散热,增大散热片面积,将MOS管与散热片紧贴(加硅胶),必要时采用强制风冷(风扇吹)等等。
3、MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的电压。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了,一般在相同电流下,额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。
解决性方法:调整MOS管的工作点,或者工作与开关模式(即在可变电阻区和夹断区之间切换,而不是一直工作在恒流区)。100多V肯定不对,你把条件说说,我感觉你用固态继电器会好一点,MOS这里不太合适。
电流太高,没有做好足够的散热设计,MOS管标称的电流值,一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
当然也是发现MOS管工作正常与否的最直接反映。
参数有区别。DO-27和DO-201AD。压降90.7V和压降0.95V。众所周知,SR360为肖特基二极管,封装DO-27又可称DO-201AD,二者尺寸一致,而肖特基二极管比较特出的特点是,正向压降低,反向恢复时间小。
外观和尺寸都有区别的,DO-214AC封装是贴片形式的;DO-27封装是直插形式的。
能给我解释下为什么do-201ad和do-27封装是一样的,谢谢。
贴片二极管5820和5822的区别是:贴片(SMD)二极管5820的主要参数:反向耐压Vrrm=20V 正向电压Vf=0.475V。贴片(SMD)二极管5822的主要参数是:反向耐压Vrrm=40V 正向电压Vf=0.525V。
一般DO-15是5A~2A的管子,DO-41是1A或是1A以下的管子,而DO-27是3A的管子。
1、因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
2、开关电源的输出电压与电源电压、开关管导通的占空比及变压器的变比有关,与工作频率无关。
3、可以。mos因为使用方便操作简单所以可以改变电压和频率,mos管是一个通过改变电压来控制电流的元件,所以可以用它来放大信号,或者当做开关。
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