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1、看你的应用,光耦的种类有很多。晶体管输出光耦(输入电流,输出耐压,电流传输比)可控硅输出光耦(触发电流,输出耐压,过零还是不过零)IGBT驱动光耦(输出电流峰值)高速光耦(速度,开路集电极还是推挽输出)。。
2、电流传输比是光耦合器的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
3、另外一个参数是光耦的电流传输比是指在直流工作条件下,光耦的输出电流与输入电流之间的比值。
1、入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。1入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
2、光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式,其种类达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
3、采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
不管是信号输入端还是输出端,都要注意电源电压及限流。不要直接接电源而无负载电阻,这样要烧掉的。
入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
看你的应用,光耦的种类有很多。晶体管输出光耦(输入电流,输出耐压,电流传输比)可控硅输出光耦(触发电流,输出耐压,过零还是不过零)IGBT驱动光耦(输出电流峰值)高速光耦(速度,开路集电极还是推挽输出)。。
光耦本身允许电流较小,就在光耦输出加装驱动晶体管,用晶体管集电极开路输出。继电器在低压运用时不用考虑电压问题,用光耦时必须考虑输出晶体管的耐压与集电极最大电流。
在光耦电路设计中,有两个参数需要格外注意,一个是反向电压Vr,是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
采用一只光敏三极管的光耦合器,CTR的范围大多为20%~300%(如4N35),而PC817则为80%~160%,达林顿型光耦合器(如4N30)可达100%~5000%。这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
光耦输出端的最大工作电压:30V。光耦输出端的最大工作电流:50mA。光耦的最大工作温度:85℃。光耦的最小绝缘电阻:10^10Ω。光耦响应时间:小于等于4微秒。光耦的耐压能力:1500Vrms。
光电耦合器参数。电流传输比:50%(最小值)。高隔离电压:5000V(有效值)。符合UL标准。极限参数。正向电流(ICEO):50mA。峰值正向电流(ICE max):1A。反向电压:6V。功耗:70mW。集电极发射极电压:35V。发射极集电极电压:6V。
光耦合器的类型及性能特点 1 光耦合器的类型 ? 光耦合器有双列直插式、管式、光导纤维式等多种封装形式,其种类达数十种。光耦合器的分类及内部电路如图1所示。
1、当两个不同的型号的光耦只有负载电流不同时,可以用大的负载电流的光耦代替小负载电流的光耦。
2、选择光耦型号的时候我们先要确定整个光耦电路的前端输入和后端输出的参数,然后再说设计电路,这样我们就可以知道我们才可以设计出我们想要的光耦电路,参数小了,电路无法正常工作;反之,参数设计得大了,电路很容易就烧掉了。
3、首先是延迟时间,这个参数影响传输度。其次是传输比,这个参数影响传递效率 再次就是输出阻抗,这个参数影响驱动能力 还要考虑的参数有隔离电压、上升时间和下降时间、击穿电压、驱动极性等等。
光耦的导通电压是0.7v左右。因为光耦的工作部件是一个发光二级管,他的导通电压跟一般的二极管是相同的。光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。
欧电阻是防止误触发可控硅的。可控硅触发电流是在T1和G脚间,负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。
输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有: 正向工作电压Vf(Forward Voltage)Vf是指在给定的工作电流下,LED本身的压降。
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