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1、光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。
2、光电效应分为三类，分别是外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。光电效应指的是高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。
3、光电效应只能分为两类，光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
光电效应只能分为两类，光电效应分为：外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。发送器对准目标发射光束，发射的光束一般来源于半导体光源，发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射，或者改变脉冲宽度。
光电效应可以分为外光电效应、内光电效应(包括：光电导效应、光生伏特效应)三种类型。光电式传感器主要是利用光电导效应(光敏电阻、光电二极管、三极管)以及光生伏特效应（光电池）器件做成的传感器。
光电传感器分为光敏电阻传感器和光敏晶体管传感器。光敏电阻是利用半导体的内光电效应制成的电阻值随入射光强弱的变化而变化的传感器。一般用于光的测量、控制和光电转换。
基于侧向光电效应的有反转光敏二极管。光电式传感器还可按信号形式分为模拟式光电传感器(如位移传感器)和数字式光电传感器（如转速传感器、光栅式传感器、数字式传感器）。
光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和内光电效应两大类，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。
是利用光电效应制成的器件，把光能转换成电能的一种装置，光电池工作时，入射光越强，光电池转化的电能越多。
光电池它是指经过光的照射发生电动势的一类半导体器件，光电池的类型很多，常见的主要有硅光电池以及硫化铊还有我们的硫化银光电池等。
光电池是利用光电效应原理制成的器件，所以要使光电池能将太阳能转化成电能，入射光的波长要保证能使其发生光电效应，即，入射光波长对应的频率要大于发生光电效应的极限频率。光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。
压电式传感器的压电晶片可以等效一个和一个并联，也可等效为一个与相串联的电压源。在压电晶片的两个工作面上进行金属蒸镀，形成金属膜，构成两个电极。
超声波传感器主要由压电晶片组成，既可以发射超声波，也可以接收超声波。小功率超声探头多作探测作用。
不能，压电式传感器是将被测量变化转换成由于材料受机械力产生的静电电荷或电压变化的传感器。它的原理是利用压电效应这一特性，需要先有外力才能过工作，在静态或准静态量因为没有外力作用，所以不能测量。
过去传感器就是一个感应头加上馈线，现在出现了相当多传感器是将感应头与芯片封装在一起，更甚者就是将感应头直接做在了芯片上，所以这类传感器是有源的。
基于光生伏特效应工作的光电器件是光电池、光敏二极管、三极管。“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovoltaic effect。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。
。光电导效应对应的器件是光电导探测器，包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等；2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器，包括光电池、光电三极管等；3。
外光电效应探测器包括光电管、光电倍增管。光电管基于外光电效应的基本光电转换器件。光电管可使光信号转换成电信号。光电管分为真空光电管和充气光电管两种。光电倍增管是将微弱光信号转换成电信号的真空电子器件。
光电传感器常见有几种分类：⑴槽型 把一个光发射器和一个接收器面对面地装在一个槽的两侧的是槽形光电。发光器能发出红外光或可见光，在无阻情况下光接收器能收到光。
光敏二极管的工作原理是基于内光电效应。光敏二极管，又叫光电二极管是一种能够将光根据使用方式，转换成电流或者电压信号的光探测器。
高中我们学习的那个光电效应是外光电效应。光电导效应就是电导随光照而变化。
关键词：数字式传感器 位移传感器 电阻传感器 激光二极管 电传感器 传感器 红外发射二极管 光栅式传感器 光电传感器 电阻 发光二极管 转速传感器 光电池基于效应光电器件 光敏二极管 发射二极管 光敏电阻传感器 光电式传感器 光电器件 光敏传感器 光电二极管
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