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1、二极管是由半导体材料（硅、硒、锗等）制成的。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。
2、普通二极管：用硅，锗，掺入磷，硼等为主要材料。
3、二极管的材料基本是硅或锗。二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
4、当二极管加上正向偏压时，势垒下降，多数载流子（电子）便从半导体进入金属。混频二极管与一般二极管相比，由于利用多数载流子工作，没有少数载流子储存效应，所以具有频率高、噪声低和反向电流小等特点，主要用于混频器。
5、锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
1、混频二极管是一种肖特基势垒二极管，它是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属？半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时，它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基势垒，即表面势垒。
2、混频器用来实现频率变换，可以有多种不同的组成方式和不同的器件，二极管混频器就是用二极管组成的。
3、单频属于持续性电流输出，单频输出频率固定，混频是指利用非线性元件，例如二极管，把两个不同频率的电信号进行混合。
可以用任意的额定电路和电压相近的肖特基二极管来代替，比如MBR600100CT、5A、200V。整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
这是肖特基二极管，可用SR5200或MBR5200代换！找规格书看看，耐压和电流够就能替换！UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。
由于肖特基芯片恢复时间非常小，所以封装后的模块工作频率很高(5KHZ-110KHZ)，同时开关损耗可以忽略不计。肖特基芯片采用势垒工艺制造，它的通态压降非常低（0.4V--0.7V），这样就确定了模块整体损耗很小。
提供较高的混频效率，结构较复杂，噪声和失真低等。二极管环形混频器的优点是它可以提供较高的混频效率，缺点是它的结构较复杂，双差分对集成模拟混频器的优点是可以实现较低的噪声和失真，缺点是它的功率输出较低。
混频器的分类，从工作性质可分为二类：（1）加法混频器（2）减法混频器分别得到和频及差频。从电路元件也可分为三极管混频器和二极管混频器。从电路分有混频器（带有独立震荡器）和变频器（不带有独立震荡器）。
从工作性质可分为二类，即加法混频器和减法混频器分别得到和频及差频。从电路元件也可分为三极管混频器和二极管混频器。从电路分有混频器（带有独立震荡器）和变频器（不带有独立震荡器）。混频器和频率混合器是有区别的。
场效应管：组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数，不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
1、做超高频4g电路的话，需要很高的精度，需要专业的波形发生器、频率计、扫频仪来调试，否则即使找到元件也根本没法做。
2、在基极和发射极同时输入不同频率的信号，由集电极接入选频电路即可。
3、安装前用万用表初步判别元器件好坏，测量内容见附表；将所有元器件引脚上的漆膜、氧化膜清除干净，按照装配图正确插入元件，其高低、极性应符合图纸规定。
4、在ADS中做混频器仿真的时候，用的只是二极管或者三极管的模型，怎么根据参数选择实际的二极管或者三极管使之满足要求？做混频器时候一般选用那种类型的二极管或者三极管，最好是能说几种常用的型。
5、给三极管输入2个频率，F1和F2，三极管会输出多个频率，其中包括F1+F2，F1-F2等等，这就是混频。
6、如果下级需要的电流比较大，那就得加三极管进行电流放大。有时下级需要的电流很大，一个三极管的放大能力不够，那时往往需要再加二只较大功率的三极管组成达林顿形式进行高倍率的放大，以输出几A乃至几十A的电流。
使用二极管混频方式时，在500~10，000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。 放大用二极管 用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。
检波二极管的选用检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
开关电路则要求能够高速开通和关断，也就是说，要选择响应速度或频率非常高的二极管。乘法调幅电路的要求与开关电路相同。除了常规的二极管以外，还有一些特种二极管。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
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