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1、MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
2、第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，器件的阈值电压则越小。
3、它是MOSFET的重要参数之一。MOS管的阈值电压等于背栅（backgate）和源极（source）接在一起时形成沟道（channel）需要的栅极（gate）对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
4、阈值电压： Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，是器件由耗尽向反型转变时，是处于临界导通状态。正如你说“根本不需要表面电子浓度大于体内空穴浓度 ”这样MOS器件就不能反型，不能形成沟道，无法正常工作。
亚阈电流虽然较小，但是它却能很好地够受到栅极电压的控制，所以亚阈状态的MOSFET在低电压、低功耗应用时很有利，特别是在逻辑开关和存储器等的大规模集成电路应用中非常受到人们的重视。
因为ψs = Vgs–VT ， 则MOSFET的亚阈电流为Idsub∝ exp(qψs/kT) ∝ exp(q [Vgs–VT] / kT) ，即输出的亚阈电流随着输入栅-源电压Vgs作指数式增大；并且在Vds3kT/q时， 亚阈电流与Vds的关系不大。
静态功耗是由于漏电流引起的，在CMOS门中，漏电流主要来自4个源头： 亚阈值漏电流(Sub-threshold Leakage， ISUB）： 亚阈值泄漏电流是晶体管应当截止时流过的电流。
离子交换柱（ion exchange column）是用来进行离子交换反应的柱状压力容器。充填有离子交换树脂的细长管柱。可由玻璃、不锈钢、有机玻璃等不被所用的流动相腐蚀的材料制成。
离子交换柱主要是利用离子交换树脂中的离子同原水（液体）中的钙、镁及铁离子进行交换而将其去除，使水（液体）得到净化。
以离子交换柱中装填钠型树脂，从上而下通以含有一定浓度钙离子的硬水为例，以交换柱的深度为横坐标，以树脂的饱和度为纵坐标，可绘得某一时刻的饱和度曲线。就整个交换过程而言，树脂层的变化可分为三个阶段。
离子的半径电荷等差异会影响它在离子交换柱上的移动速度，进而实现层析。
离子交换的基本原理 水处理中主要采用离子交换树脂和磺化煤用于离子交换。其中离子交换树脂应用广泛，种类多，而磺化煤为兼有强酸型和弱酸型交换基团的阳离子交换剂。
1、首先应该知道什么是阈值电压吧，一种定义是使mos管沟道中形成强反型层时栅上所加的电压。
2、晶体管亚阈状态是MOSFET的一种重要工作状态（工作模式），又称为MOSFET的亚阈值区（Subthreshold region）。
3、观察电流。亚阈值是是在MOS管理想的电流电压特性中，称亚阈值漏电流，需要观察电流，所以关注，是金属氧化物半导体场效应管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压。
1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
2、你好！NTMFS4C029NT1G [N沟道晶体管] 5-DFN封装，表面贴装型。
3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
4、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。
例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。
nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。
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