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二极管的正反向电阻根据材料有所不同,有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大,而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如:小功率锗二极管的正向电阻为300Ω~500Ω,硅工极管为lkΩ或更大些。
点接触型二极管属于高频管,面接触型二极管多为低频管。用万用表R×1k挡进行测试,一般正向电阻小于1K的多为高频管。硅高速开关二极管的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量,一般正向电阻值为5K~10K 。
你是想检查二极管的好坏吗?一般是用万用表的电阻挡R*100测量其正反向电阻值,两者的差越大越好。一般是正向电阻500欧姆左右,反向电阻10千欧左右。
晶体二极管控反向电阻越大越好,一般都接近无穷大。正向电阻一般在500-1000欧。
由 I--U曲线可看出,导通电压约为1V,二极管正向导通电阻约为500欧姆,假设二极管导通。则两个二极管的电阻为1000欧姆,和R2并联后总电阻为500欧姆,所以两个二极管两端的电压为2V,满足导通条件。所以假设是正确的。
1、黑笔接二极管正极,红笔接二极管负极测出的结果是正向电阻,一般正向电阻用最低电阻挡侧,一般是十几欧姆到二十几欧姆,档位不同结果也不同,如果测得结果是0或是很大,则二极管坏了。
2、二极管的正反向电阻根据材料有所不同,有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大,而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如:小功率锗二极管的正向电阻为300Ω~500Ω,硅工极管为lkΩ或更大些。
3、二极管正向导通时,它的正向电阻r =(正向压降v)/(正向电流i),其中,正向压降v 在二极管正向导通时基本不变(硅管约0.7v;锗管约0.2v)。所以,它的正向电阻r 不是不变的,它与正向电流i 的大小有关。
4、理论上二极管具有单向导电性:解释为,正向导电电阻为零,反向导电电阻无穷大。
5、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω;反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关,当二极管的正向电流在变化时,二极管的正向电阻将随之微小变化,正向电流越大,正向电阻越小,反之则越大。
6、它的 原理 是 电流 从二极管正端流向负端二极管 电阻 是很小的可以导通。
1、二极管正向导通时,它的正向电阻r =(正向压降v)/(正向电流i),其中,正向压降v 在二极管正向导通时基本不变(硅管约0.7v;锗管约0.2v)。所以,它的正向电阻r 不是不变的,它与正向电流i 的大小有关。
2、锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω,反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都由二极管来构成的,由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生。
3、二极管为非线性元件,其阻值是不固定的,在一般的检测中,锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
4、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω;反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关,当二极管的正向电流在变化时,二极管的正向电阻将随之微小变化,正向电流越大,正向电阻越小,反之则越大。
5、锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
1、二极管正向导通时,它的正向电阻r =(正向压降v)/(正向电流i),其中,正向压降v 在二极管正向导通时基本不变(硅管约0.7v;锗管约0.2v)。所以,它的正向电阻r 不是不变的,它与正向电流i 的大小有关。
2、锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω,反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都由二极管来构成的,由于二极管等元件的发明,才有我们现 在丰富多彩的电子信息世界的诞生。
3、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω;反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关,当二极管的正向电流在变化时,二极管的正向电阻将随之微小变化,正向电流越大,正向电阻越小,反之则越大。
4、锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
5、二极管为非线性元件,其阻值是不固定的,在一般的检测中,锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右,反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。
6、首先二极管正向电阻值是非线性的,其阻值会因所用测量工具不同而不同,所以把它说成压降更为合适,当给一个二极管加上正向电压,硅管压降为0.6-0.8v,锗管为0.2v左右。二极管反向电阻最好为无穷大。
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