MOS管内部的二极管（mosfet 体二极管）

发布时间：2023-05-28

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不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。

MOS 管的结构，所以没有这个二极管。但 D 极和衬底之间都存在寄生二极管，如果是单个晶体管，衬底当然接 S 极，因此自然在 DS 之间有二极管。

这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。

MOS管内部的二极管（mosfet 体二极管）

1、对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。NMOS中，体二极管方向是衬底向D（D极是N型材料），极S向D；PMOS中，方向为D向S。

2、二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。

3、体效应二极管，是利用半导体某些体内性质受外界作用而发生变化的原理制成的器件。除欧姆接触之外，它不含有PN结及其他界面。光电导型探测器、热敏电阻、霍尔器件和电子转移器件(耿氏二极管)均属于体效应器件。

4、晶体二极管是固态电子器件中的半导体两端器件。起源于19世纪末发现的点接触二极管效应，发展于20世纪30年代，主要特征是具有单向导电性，即整流特性。

5、二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

1、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

2、所以，整流桥不一定全是4个二极管组成的，只是4个二极管的整流桥比较常用，经常看到，它也叫全桥整流桥。

3、桥式整流电路使用四个二极管原因如下：E2为正半周时，对DD3加正向电压，DD3导通；对DD4加反向电压，DD4截止。

4、整流电路的负载上都有方向不变的脉动直流电压和电流。桥式整流的名称只是说明电路连接方法是桥式的接法，桥式整流二极管：大家常用的一般是由4只单个二极管封装在一起的元件，取名桥式整流二极管，整流桥或全桥二极管。

1、内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。

2、这个二极管就是为这个电动势提供一个泄放的通路，由于电动势的方向与电源的方向相反，所以叫做反向电动势，二极管也是反向接入的。有了它，电动势就不会太高了，保护了半导体开关从而保护了其他元器件不至于损坏。

3、这个快恢复二极管是抗静电用，MOS管栅极阻抗很大，很容易感应高电压击穿栅极。这个二极管是个双向的稳压二极管保护栅极电压不会太高。

4、这个二极管是保护二极管。电路接通时，因电压上正下负，二极管是截止的，没有电流通过。由于发热管这条通路电流非常大，若发热管本身存在电感，在通断瞬间会因电感产生很高的反电动势，危及发热管和下面IGBT管。