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n-mos管（nmos管衬底接什么）

发布时间：2023-05-28
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nMOS晶体管导通时,为什么电流是从源极流到漏极,而不是漏极流到源极...

1、所以，在NMOS管正常工作时，多子(电子)应该是从源极到漏极(而不能反过来)，对应的电流就是从漏极到源极，此时对应的电压就应该是 0。这是从源漏极字面的意思理解。(2)从第二个角度来理解。

2、具体来说，对于nmos，寄生二极管方向是从源到漏，因此电路上电流应该从漏到源，即漏极电位高于源极才能正常工作；而pmos则相反。

3、NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。

4、电流就是从D流到S了。所以NMOS的电流是从漏极D流向源极S。而PMOS正相反，因为PMOS的载流子空穴的方向就是电流的方向，所以PMOS的电流是从源极S流向漏极D。不要被电流方向弄傻了，注意载流子的方向即可。

使用Nmos管控制电机时电路起不到开关管作用

g极要加下拉电阻。也就是说，g极要和地之间加一个电阻，10k左右就行了。还有，应该把S接地，电机接在D极上，你那样接不是开关作用，是放大作用。

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。

也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。

R7的电压分配与IRF9540N的VT不匹配导致。不行就把两个IN4007与R7去掉试试看。还有一种情况，即使IRF9540N被关断，这个PMOS的drain端可能还会维持在一定程度的高电位，因为没有外力使得这个PMOS的drain端置零。

是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。

NMOS增强型，ugs(th)一般是正数，最常见的是在2-4V之间，正常导通时的UGS一定大于Ugs(th)，因此也一定是一个正数。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

UGD=UGS-UDSUth 所以把算式变换一下，可以得出：UDSUGS-Uth，工作在放大状态。具体可以参考童诗白的《模拟电子技术基础》第四版P46页，图9下一段，里面说的非常清楚。

nMOS管子的阈值电压是多少?

1、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

2、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

3、例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。

二极管do-201ad与do-27封装有何区别?

参数有区别。DO-27和DO-201AD。压降90.7V和压降0.95V。众所周知，SR360为肖特基二极管，封装DO-27又可称DO-201AD，二者尺寸一致，而肖特基二极管比较特出的特点是，正向压降低，反向恢复时间小。

外观和尺寸都有区别的，DO-214AC封装是贴片形式的；DO-27封装是直插形式的。

能给我解释下为什么do-201ad和do-27封装是一样的，谢谢。

贴片二极管5820和5822的区别是：贴片（SMD）二极管5820的主要参数：反向耐压Vrrm=20V 正向电压Vf=0.475V。贴片（SMD）二极管5822的主要参数是：反向耐压Vrrm=40V 正向电压Vf=0.525V。

关键词：寄生二极管 导通电阻 一个电阻 n-mos管 二极管方向 拉电阻 mos管 电阻 下拉电阻

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