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1、调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
2、：电路原理：电路图如下 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
3、可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示（1）整流电路采用桥式整流，将220伏，50赫兹交流电压变为脉动直流电。（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。
4、大功率可控硅调压器原理图如下图所示 可控硅，一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。
减少过度损耗。可控硅过零开关信号采用方波驱动可以减少过度损耗，提高信号的触发。方波驱动的好处就是传感器结构比较简单，成本比较低，而且电流环节结构较简单，伺服驱动器总体成本较低。
一种大容量IGBT整流器控制技术1引言随着现代微电子、功率元件、计算机的发展，整流器结构及其控制技术也得到了迅猛的进步。从二极管整流、可控硅整流，再到大容量igbt整流器，各种整流器都得到实际的应用。
可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
1、单向半波可控整流带大电感负载，在负半周可控硅截止时，电感负载会产生很高的反向感应电动势，此反向电动势足以使可控硅击穿烧毁，加续流二极管后可使反向电动势泄放为二极管的正向压降（约0.7v），从而有效保护可控硅。
2、在频率不太高的正弦波交流回路中，调整触发角使用模式，可控硅输出的负载端电压波形参见附图。红色的是交流电源波形，绿色是负载上的电压波形。假设是全桥可控整流。
3、阻感性负载由于电感有滤波作用，电流的波形较纯电阻电流波形来的平缓些，负载上电压的波形也是如此。
4、现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。
5、正常负载工作时的电压会随着负载的增大而降低，该负载的电压应在24V附近。
6、单相半波相控整流电路电阻性负载和阻感性负载输出平均电压波形和电流波形有区别的。
示波器的测量都是电压值，采样的也是电压，根据电流与电压的关系（成正比）波形一样，所以在检测快速变化的电流时，可以用示波器采样电压来判断电流变化的快慢。
，电压环的误差放大器对直流母线电压（或DC-Link电压）上的100Hz纹波(对于50Hz电网)没有足够衰减而作为电流环的给定，会导致输出电流有很高的3次谐波。
很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
这说明电流波形发生畸变。通过谐波分析可知：对于三相全控桥6脉冲整流器，变压器原边及供电线路含有11……次谐波电流；如果采用12脉冲整流器，也还有1123……一次谐波电流。
1、如果是担心测强电的安全问题，只需将未波器的电源线的接地端不接地就可以了，再就是测量时不要触碰到示波器机身上及探头上裸露的金属。
2、用示波器测波形，其方法是：首先将示波器探头插入通道1插孔，并将探头上的衰减置于1档。随后将通道选择置于CH1，耦合方式置于DC档。接着将探头探针插入校准信号源小孔内，此时示波器屏幕出现光迹。
3、将测试线接在CHl或CH2输入插座，测试探头触及测试点，即可在示波器上观察到波形。如果波形幅度太大或太小，可调整电压量程旋钮；如果波形周期显示不适合，可调整扫描速度旋钮。
4、你的高频炉应该是中频加热炉，驱动板是反馈信号放大作用，输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作，要用示波器测试波形，如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端，另一测试点为C端。
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