三极管符号名字（3极管符号）

本文目录一览：

• 1、三极管的命名和标示方法
• 2、三极管所以种类和表示符号
• 3、三极管两种类型，即两种图形符号。及名称。
• 4、三极管在电路中的符号和实际中的符号分别是什么？
• 5、三极管所有的命名方式
• 6、三极管符号是什么？

三极管的命名和标示方法

中国三极管型号命名方法

中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管

3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：

A-N型锗材料

B-P型锗材料

C-N型硅材料

D-P型硅材料

表示三极管时：

A-PNP型锗材料、

B-NPN型锗材料、

C-PNP型硅材料、

D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、

V-微波管

W-稳压管

C-参量管

Z-整流管

L-整流堆

S-隧道管

N-阻尼管

U-光电器件

K-开关管

X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)

G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)

D -低频大功率管（f3MHz,Pc1W)

A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)

T-半导体晶闸管（可控整流器）

Y-体效应器件

B-雪崩管

J-阶跃恢复管

CS-场效应管

BT-半导体特殊器件

FH-复合管

PIN-PIN型管

JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

美国三极管型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

1.第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级

JANTX-特军级

JANTXV-超特军级

JANS-宇航级

（无）-非军用品。

2.第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管

2-三极管

3-三个pn结器件

n-依次类推

3.第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。

4.第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

5.第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

日本三极管型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

1.第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、

1-二极

2-三极或具有两个pn结的其他器件、

3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件慧雹

2.第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

3.第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管

B-PNP型低频管

C-NPN型高频管

D-NPN型低频管

F-P控制极可控硅

G-N控制极可控硅

H-N基极单结晶体管

J-P沟道场效应管

K-N沟道场效应管

M-双向可控硅

4.第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

5.第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

欧洲三极管型号命名方法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。森碧码

1.第一部分O-表示半导体器件

2.第二部分A-二极管

C-三极管

AP-光电二极管

CP-光电三极管

AZ-稳压管

RP-光电器件

3.第三部分：多位数字-表示器件的登记序号4.第四部分A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

国际三极此哪管型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗

B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅

C -器件使用材料的Eg1.3eV如砷化镓

D-器件使用材料的Eg0.6eV如锑化铟

E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

2.第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管

B-变容二极管

C-低频小功率三极管

D-低频大功率三极管

E-隧道二极管

F-高频小功率三极管

G-复合器件及其他器件

H-磁敏二极管

K-开放磁路中的霍尔元件

L-高频大功率三极管

M-封闭磁路中的霍尔元件

P-光敏器件

Q-发光器件

R-小功率晶闸管

S-小功率开关管

T-大功率晶闸管

U-大功率开关管

X-倍增二极管

Y-整流二极管

Z-稳压二极管

3.第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

4.第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

三极管所以种类和表示符号

半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。弊清其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低镇卜辩噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。

在老式的电子产品中还能见3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。符号的第一部分“3”表示三极管。

符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料御缺;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。

三极管两种类型，即两种图形符号。及名称。

三极管有两种管型（NPN型、PNP型），三个电极（集电极C、发射极E、基极B）电路符号如图2-3所示。

晶罩棚体三极管顾名思义有三物颂则个电极，二极管的核心部分是由一个单独PN结构成的，而三极管的核心部分是由两个联系着的PN结构成。两个PN结将整个硅片分成掺杂方式不同樱扮的三个区域，即集电区、基区和发射区。



三极管在电路中的符号和实际中的符号分别是什么？

三极管在电路中的符号如下图：

三极管如搭是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。

扩展资料：

在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极吵橡闹电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和升罩，远大于集电极电流时是深度饱和。因此只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。

对于PNP型三极管，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来变成朝里的了。

参考资料来源：百度百科-三极管

三极管所有的命名方式

不同的国家对三极管的命名是不同的。所有命名方式要查询全世界的工厂和国家，很难办到。

以中美日等国为例：

中国三极管型号命名方法

中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管

3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：

A-N型锗材料

B-P型锗材料

C-N型硅材料

D-P型硅材料

表示三极管时：

A-PNP型锗材料、

B-NPN型锗材料、

C-PNP型硅材料、

D-NPN型硅材料。

第三部分：用老誉汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、

V-微波管

W-稳压管

C-参量管

Z-整流管

L-整流堆

S-隧道管

N-阻尼管

U-光电器件

K-开关管

X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)

G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W)

D -低频大功率管（f3MHz,Pc1W)

A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)

T-半导体晶闸管（可控整流器）

Y-体效应器件

B-雪崩管

J-阶跃恢复管

CS-场效应管

BT-半导体特殊器件

FH-复合管

PIN-PIN型管

JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序数含陆号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

美国三极管型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：

1.第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级

JANTX-特军级

JANTXV-超特军级

JANS-宇航级

（无）-非军用品。

2.第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管

2-三极管

3-三个pn结器件

n-依次类推

3.第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协薯顷会（EIA）注册登记。

4.第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

5.第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。

如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

日本三极管型号命名方法

日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：

1.第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、

1-二极

2-三极或具有两个pn结的其他器件、

3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件

2.第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

3.第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管

B-PNP型低频管

C-NPN型高频管

D-NPN型低频管

F-P控制极可控硅

G-N控制极可控硅

H-N基极单结晶体管

J-P沟道场效应管

K-N沟道场效应管

M-双向可控硅

4.第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

5.第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

欧洲三极管型号命名方法

欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。

1.第一部分O-表示半导体器件

2.第二部分A-二极管

C-三极管

AP-光电二极管

CP-光电三极管

AZ-稳压管

RP-光电器件

3.第三部分：多位数字-表示器件的登记序号4.第四部分A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

国际三极管型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：

1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗

B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅

C -器件使用材料的Eg1.3eV如砷化镓

D-器件使用材料的Eg0.6eV如锑化铟

E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

2.第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管

B-变容二极管

C-低频小功率三极管

D-低频大功率三极管

E-隧道二极管

F-高频小功率三极管

G-复合器件及其他器件

H-磁敏二极管

K-开放磁路中的霍尔元件

L-高频大功率三极管

M-封闭磁路中的霍尔元件

P-光敏器件

Q-发光器件

R-小功率晶闸管

S-小功率开关管

T-大功率晶闸管

U-大功率开关管

X-倍增二极管

Y-整流二极管

Z-稳压二极管

3.第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

4.第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

三极管符号是什么？

国外一般用宇母QR或Q表示，在国内一般用颤镇汪VT或V表示。

三极管（英语：Triode）是一个有放大器功能的真空管，在真空的玻璃外壳内有三个电极：包括一个加热的灯丝（或称阴极）、控制栅格及金属平板（阳极）。三极管是由李·德富雷斯特在1906年发明，是第一个电子放大器。

也是其他类型真空管如四极管、五极管的祖先。它的发明开创了电子时代，使无线电放大和长途电话成为可能。

李·德富雷斯特因为发明三极管，被誉为是电子学之父。现在的三极管只有一厘米左右的长度。 三极管曾被广泛应用于消费电子设备，如收音机和电视机。直到上世纪70年代被晶体管取代。目前，电子管主要用于无线电发射机和工业射频茄仔加热装置中的大功率RF功放。

所有三极管都有一个由灯丝加热并释放电子的热阴极电极，以及一个用于吸引电子的扁平金属板电极，它们之间有一个由丝网组成的网格，用于控制电流。它们被密封在一个玻璃容器内，空气已从该容器中抽出至大约 10 -9 atm的高真空。

由于灯丝最终会烧坏，因此灯管的使用寿命有限，并且被制成可更换的单元；电极连接到插入插座的端子销上。三极管的使用寿命对于小管约为 2000 小时，对于功率管约为 10000 小时。

应用

三极管是第一个非机械设备，以提供在音频和射频功率增益，以及由无线电实用。三极管用于放大器和振荡器。许多类型仅在低到中等频率和功率水平下使用。

大型旅则水冷三极管可用作无线电发射机的最终放大器，额定功率为数千瓦。特殊类型的三极管（“灯塔”管，元件之间的电容低）在微波频率下提供有用的增益。

真空管在大众销售的消费电子产品中已经过时，已被更便宜的基于晶体管的固态设备所取代。然而，最近，真空管已经卷土重来。三极管继续用于某些大功率射频放大器和发射器。虽然真空管的支持者声称它们在高端和专业音频应用等领域具有优势，但固态 MOSFET 具有相似的性能特征

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