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有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。
海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。
SJ76，－140V，－500mA 。2SJ77，－160V，－500mA 。2SJ146，－50V，－100mA 。2SJ146，－60V，－200mA 。2SJ167，2SJ168，－60V，－200mA 。2SJ209，－100V，－100mA 。
耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
SOT-23，单价才几分钱一颗。耐压20V，耐流3A以上。。完全满足你的要求。。
IRFZ44N是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为49A，具有低导通电阻和高开关速度。IRF3205是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为110A，具有较低的开关电阻和高开关速度。
MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。
因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。N沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个负数值。
改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
有100V，200V，300V，400V，500V，600V的电压。
V70A，500V72A的MOS，500V74A，500V77A，500V80A，500V85A，500V88A的MOS，500V90A，500V95A，500V100A，500V110A，500V120A的MOS管。
IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
最大整流电流IF是指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起二极管发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
二极管的主要参数有四个，即最大正向电流、最大反向电流、最高反向工作电压和最高工作频率。二极管：二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。
(μm)=2396/Eg(eV) 发光二极管（LED）一般由磷砷化镓、磷化镓等材料制成．它的内部存在一个PN结，也具有单向导电性，但发光二极管在正向导通时会发光，光的亮度随导通电流增大而增强，光的颜色与波长有关。
IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
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