mos管全桥（mos管全桥整流电路图）

发布时间：2023-05-28

阅读量：169

本文目录一览：

全桥模式理想状态，MOS管最大将承受全部工作电压，考虑开关瞬态的冲击电压保护电路不可能完全吸收，通常会选择2倍耐压以上器件。如果是工作于300V直流状态，你必须选择600V耐压的管子。

看功率等级的，小型的有用MOSFET IRF3205 IR1404 IR840 IR740 IR540等等，不过稍大功率的会用到IGBT具体型号根据功率来的。

如果是非常用型号或者功率很大的情况下就只能去电子市场或者网上定制了。逆变器是把直流电能转换为交流电能（一般情况下为220V，50Hz的正弦波）的设备。它与整流器的作用相反，整流器是将交流电能转换为直流电能。

其核心部分都是一个PWM集成控制器，Adapter用的是UC3842，逆变器则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围6～40V，其内部设一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的PWM发生器、低压保护回路及短路保护回路等。

mos管全桥（mos管全桥整流电路图）

输入正负极搞错了，场管的内置二级管瞬间烧坏，没有软驱动电路，启动瞬间由于次级反馈电路电压尚未建立，PWM工作于失控状态，如果场管没有专用的保护电路，场管将于PWM失控状态下工作，瞬间烧毁。

驱动端有没有下拉？Vgs还是用rc阻尼好些。tvs有个速度的问题，还有个容量的问题。

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

总之，在选择MOS管DS电压时，需要根据全桥开关电源的输出电压，MOS管的额定电压和漏电流来确定，以保证MOS管的正常工作。

它们功能一样。只是结构不同，单管要由四只组成整流全桥，半桥是两个单管组成的，再由两个半桥组成全桥，全桥是四只单管或两只半桥组成。全桥是单管的一体化表现形式。功能都是把交流变成直流。

功率管的耐压应该比电源高多少倍，这个问题的答案并不是固定的，因为它取决于具体的应用场景和要求。一般来说，为了确保功率管的安全工作，其耐压应该略高于电源的输出电压，一般建议在2倍到5倍左右。

1、V的交流，一般选600V或900V的MOS。MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。只是，谁也说不准什么时候会有刺激、电压波动或异常动作，所以才要加一些设计余量。

2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

3、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

看功率等级的，小型的有用MOSFET IRF3205 IR1404 IR840 IR740 IR540等等，不过稍大功率的会用到IGBT具体型号根据功率来的。

MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

A，40A，300V-50A，59A，120A，300V-260A MOS管。400V-6A，9A，10A，19A，25A，35A，400V-60A MOS管。主要的应用：逆变器、去频闪、通信电源、高压AC DC电源，便携式移动电源。大概这么多了，希望能帮助最好。