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内光电效应代表光电器件(内光电效应代表光电器件的什么)

发布时间:2023-05-28
阅读量:224

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内外光电效应的区别

内光电效应是光电效应的一种,主要由于光量子作用,引发物质电化学性质变化(比如电阻率改变,这是与外光电效应的区别,外光电效应则是逸出电子)。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。

外光电效应 光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大,电子会克服束缚逸出表面,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应。

问题三:内外光电效应的区别 外光电效应指在光的照射下,材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极,即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。

光电效应的类别 外光电效应:指在光的照射下,材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极,即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。

在光线照射下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。当光线照在物体上,使物体的电导率发生变化或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,所以内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应。

光电效应有哪几种?与之对应的光电元件各是那些?

1、光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应。

2、光电效应只能分为两类,光电效应分为:外光电效应和内光电效应。内光电效应是被光激发所产生的载流子(自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。

3、。光电导效应对应的器件是光电导探测器,包括异质结靶光电导摄像管、视像管、硅靶摄像管等;2。光生伏特效应对应的器件主要是光伏探测器,包括光电池、光电三极管等;3。

4、外光电效应:指在光的照射下,材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极,即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。内光电效应:指在光的照射下,材料的电阻率发生改变的现象。

内外光电效应有那些器件

外光电效应中最常用的就是PMT,光电倍增管,主要用于探测弱光,如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode,简称PD,一般叫光电二极管,还有比较常见的器件有APD。

光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。 基于该效应的 器件有光电池和光敏二极管、三极管。

高中我们学习的那个光电效应是外光电效应。光电导效应就是电导随光照而变化。

但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。光导管(又称光敏电阻)就是利用内光电效应制成的半导体器件。

光电子发射:现在常用的半导体发光材料基本上都可以属于这一类,常见的元器件有LED(发光二极管)。光电导效应:光敏电阻。

内外光电效应分别有哪些?各是什么含义?

内光电效应 当光照射到半导体表面时,由于半导体中的电子吸收了光子的能量,使电子从半导体表面逸出至周围空间的现象叫外光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。

外光电效应:物质吸收光子并激发出自由电子的行为。当金属表面在特定的光辐照作用下,金属会吸收光子并发射电子,发射出来的电子叫做光电子。光的波长需小于某一临界值时方能发射电子,其临界值即极限频率和极限波长。

问题二:什么是光电效应 光电效应是指,当光线照射在金属表面时,金属中有电子逸出的现象,称为光电效应.逸出的电子称为光电子。光电效应发生的原因是金属表面的电子吸收外界的光子, 克服金属的束缚而逸出金属表面。

光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面,又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部,称为内光电效应。

内光电效应:现代很多光电探 测器都是基于内光电效应,其中光激载流子(电子和空穴)保留在材料内部。

内光电效应中常用的器件有Photodiode,简称PD,一般叫光电二极管,还有比较常见的器件有APD。

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内光电效应的两种类型及特征

1、外光电效应 光照在照在光电材料上,材料表面的电子吸收的能量,若电子吸收的能量足够大,电子会克服束缚逸出表面,从而改变光电子材料的导电性,这种现象成为外光电效应。

2、光电效应一般分为外光电效应和内光电效应。 内光电效应是被光激发所产生的载流子 (自由电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。

3、内光电效应是光电效应的一种,主要由于光量子作用,引发物质电化学性质变化(比如电阻率改变,这是与外光电效应的区别,外光电效应则是逸出电子)。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。

关键词:光电二极管 内光电效应代表光电器件 光电三极管 光电器件 电阻

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