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mos管逆变电路（逆变器mos管发热严重）

发布时间：2023-05-28
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mos管是怎么升压的,又是怎么逆变的,求解

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。

MOSFET关闭的时候这些储能元件要么和原来的输入叠加形成升压电路，要么独自输出形成降压电路。（这里只是举例，还有升降压电路不讨论了。

一般有高频逆变器和低频逆变器，一个用的是高频变压器一个是低频变压器，高频变压器一般是先推挽升压成高压直流在逆变为交流，这些过程是通过MOS管和PWM驱动芯片实现的。附上一份电路图自己研究吧。

这是一个主动pfc，类似升压电路，将整理后未滤波的脉动直流斩波后再整流滤波。

利用4只mos管为基础,画出全桥逆变电路原理图?

1、只MOS管做全桥驱动。可以利用4只n mos管，以及自举电路，对称的给上下臂送高低电平，以控制上下臂不同MOS管导通，以达到控制电流方向的目的。

2、个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。

3、桥式整流电路图 桥式整流器利用四个二极管，两两对接。输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时，另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输出还是得到正弦波的正半部分。

请教一下IR2110驱动mos管电路的问题

1、保护电路：为了保护MOSFET和IR2110，可以在电路中加入过流、过压、过温等保护电路。需要注意的是，单个MOSFET管的驱动电路可能不够复杂，需要根据具体的电路需求和应用场景进行设计，确保电路的稳定性和可靠性。

2、就是说G-S之间最高电压只能我们设定的电压，既不会超出Vgs容许的最大范围，还让MOS管能够很好的饱和导通。直接加一个固定电压是不能实现的，可能还可能损坏MOS管与驱动电路。

3、IR2110高端的驱动供电是靠两个MOS管公共点的脉冲取得的，必须要主电路供电后，HO才能输出主电源+VS的幅度（对电源负端测量）驱动信号。

MOS管IRFP460在全桥逆变电路中需要另外反并联一个快恢复二极管(MUR460...

不能。1N5408是普通整流二极管，速度比快速恢复二极管慢得多，PN结电容也大得多，在高频信号作用下没有单向导通的效果，等于一支电阻。

本身的寄生二极管就是防止有瞬间反向电流过大，可从此二极管释放，防止烧掉管子。所以一般承受电流能力可以，并不需要在并联反向二极管保护。

快恢复二极管并联和普通二极管一样，正极与正极相连，负极与负极相连；有的快恢复二极管可能有三个脚，中间那个是空脚，不用管它，也可以自己把它剪掉，剩下两个脚按普通二极管正常接就行。

MOSFET的反并二极管，是一个普通二极管！且只能当作普通二极管使用。boost电路，一般要选用开关二极管，快恢复型二极管。BOOST电路，使用普通二极管，输入电流肯定要上升一倍多，这是因为普通二极管，反向恢复速度很慢的原因。

例如开关电源中的全桥拓扑电路，mos管上并联反向二极管（超快恢复二极管）。目的是降低电感上产生的反射电压，其重要指标是二极管的反向恢复和导通时间。如大功率晶体管工作输出阻性负载下，则无需并联反向二极管。

只MOS管做全桥驱动。可以利用4只n mos管，以及自举电路，对称的给上下臂送高低电平，以控制上下臂不同MOS管导通，以达到控制电流方向的目的。

关键词：快恢复二极管 恢复二极管 逆变器mos管 mos管 坏MOS管 四个二极管 驱动mos管

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