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1、主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
2、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
3、三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
4、但是栅极对源极和漏极一定是不导通的,mos管也一样,mos管也是场效应管的一种,只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
5、MOS管是电压控制性器件,三极管是电流控制性器件,因此MOS管( DMP210DUFB4-7B )更节能。MOS管只有多数载流子参与导电,三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。
1、MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是:栅极、漏极和源极。栅极简称为G;源极简称为S;漏极简称为D。
2、G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。
3、或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管有用的管脚就是三个:源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚(在内部和漏极、栅极相连,特别是有些大功率管),或者是空脚(没有内部连接,只起焊接固定作用)。
1、主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
2、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
3、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,成本问题:三极管便宜,mos管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
4、MOS管是电压控制性器件,三极管是电流控制性器件,因此MOS管( DMP210DUFB4-7B )更节能。MOS管只有多数载流子参与导电,三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电,因此MOS管热稳定性更好。
5、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管,比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件,这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
6、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,\x0d\x0a成本问题:三极管便宜,mos管贵。\x0d\x0a功耗问题:三极管损耗大。\x0d\x0a驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
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