光耦电阻计算（光耦电阻怎么测好坏）

发布时间：2023-05-28

阅读量：245

本文目录一览：

这个要看你输入端是什么情况，不过普通的根据欧姆定律即可。

r——分流电阻。因为不同品牌、型号的光耦性能参数不同，即使同品牌同型号的光耦也有离散性，因此，算出的电阻值在实际电路中还要根据光耦的电流传输比等参数适当调试。

一般流过光耦发光管的电流按3-10mA来选择电阻计算即可。第二个问题，如果光耦数量少（不多于5个且参数必须一致）是可以工作的，但不推荐这样接，因为同时开可能会有问题。输入电流和输出电流有个比例存在。由光耦觉得。

1、如果阻抗很高，这个上拉电阻的取值范围就很宽，保证光耦的光敏三极管工作电流超过1mA即可。如果它比较低，这个上拉电阻的取值就应该接近输入阻抗的数值，以保证输入端得到匹配。光敏三极管一般会工作在饱和导通和截止两种状态。

2、算吧，光电耦合器端电压3V，10mA，那么电阻上压降217V，电流10mA.217/0.01A=21700欧=27K，电容是滤波电容，可用400V100微法即可，建议你用这个阻容降压电路。

3、接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理，可以得到以下公式：IB=IF*CTR，其中CTR是光耦的传输比，表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。因此，可以得到CTR=IB/IF=10mA/10mA=1。

1、这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。

2、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

3、上面的360R的电阻是触发电路中的限流电阻，下面的电阻是防干扰电阻，去掉也可以工作。

4、MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

5、欧电阻是防止误触发可控硅的。可控硅触发电流是在T1和G脚间，负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。

6、来看一个电路图，其实双向可控硅多数用在交流电路中。

2、接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理，可以得到以下公式：IB=IF*CTR，其中CTR是光耦的传输比，表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。因此，可以得到CTR=IB/IF=10mA/10mA=1。

3、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20ma。输入电压减去二极管压降再除以20ma就是r1的阻值。

4、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

3、光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20ma。输入电压减去二极管压降再除以20ma就是r1的阻值。

4、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。

光耦电阻计算（光耦电阻怎么测好坏）