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可控硅的主要参数非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过可控硅的主要参数
1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳知腔极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。近年来,许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅的触发过零触-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。
非过零誉圆触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正
弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。
可控硅的主要参数:
1 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的
VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。搭虚衫
3 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT
一般为几微安到几十毫安。
可控硅,英文名称为Silicon Controlled Rectifier,简写为SCR,是可控硅整流元件的简称,有时也将其称为晶闸管。可控硅是一个具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件,具有体积小、结构简单、功能强、抗高压的特点,现已广泛应用于电视机、电冰箱、无线电遥控、摄像机、定时控制器等设早铅备中。
可控硅的作用一:可控整流作用
可控硅的作用之一就是可控整流,这也是可控硅最基本也最重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能,并没有实现可控,而一旦把二极管换做可控硅,便构成了一个可控整流电路。晌姿一个最基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制极外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。
可控硅的陆谨好作用二:用作无触点开关
可控硅的作用之二就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。
可控硅的作用三:开关和调压作用
可控硅的作用之三就是起到开关和调压的作用,经常应用于交流电路中,由于其被触发时间不同,因此通过它的电流只有其交流周期的一部分,通过它的电压只有全电压的一部分,因而起到调节输出电压的作用。
97A6 双向触发三极闸流晶体管。
主要参数
封装形雀册式:TO-92(T2GT1)
断态重复峰值电压 400 V
反向重复峰值电压 400 V
通态平均电流 IT(AV) 1 A
通态(不重复档岁友)浪涌电流 ITSM 10 A
控制极平均功率耗散 PG(AV) 0.1 W
最高结温 Tj 110 ℃
贮存温度 Tstg -40~110 ℃
维持电流 IH VD=12V,IGT=0.1A - 50 mA
控制极触发电流 Ⅰ IGT VD=12V
扩展资料:
晶体三极管按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管。
(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅行槐,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
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