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mos管符号国标（mosfet管符号）

发布时间：2023-05-28
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本文目录一览：

线路板上的mos管是什么?

MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。

MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。定义：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

mos管符号是什么?

1、mos。mos同类小管的符号为mos。MOS管的分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。

2、mos管的电路符号详解，MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

3、在MOS 场效 管 图形符号 中，在D、S极的 中间 有一 引线 (它不是带 箭头 的，带箭头的是S极)，表示 衬底 。不管是P型还是N的MOS管，它们的衬底都是 杂质浓度 较低的P型(或N型)硅衬底。

4、通常用Q表示，当然这个是人为定义的东西，只要你是设计者定义什么都可以的。

这个MOS管符号什么意思,二极管是表示电流流向么?我能理解为MOS管并联了...

1、这个是P型MOS管，所有N型或P型的MOS管都带有一个反向导通的二极管。

2、MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体。

3、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

4、我在这里告诉你看不懂的怎么回事：二只MOSFET管其实内部是带有二极管的，你把二只二极管补上，那你就看得明明白白了。二极管的接法是D端负极S端正极。

5、这个叫寄生二极管，当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过这个二极管导出，保护了MOS管的D极和S极。如果没有这个二极管，就有可能击穿这个MOS管了。

6、解析：二极管的电路符号如图所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。

N沟道MOS管的结构及工作原理

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅），作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。

MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。场效应三极管的型号命名方法 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管的符号和三个引脚

N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。

判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

mos管分四种，N沟道增强型和耗尽型，P沟道增强型和耗尽型。箭头指向g的且带虚线的为N增强，没有虚线的为N耗尽。箭头背向g端的且带虚线的为P增强，不带虚线则为P耗尽。

MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。

而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。

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