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开关器件导通损耗（开关器件的损耗）

发布时间：2023-05-29
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导通损耗和开关损耗哪个大些

导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态时的损耗；开关损耗是出现在功率开关被驱动，进入一个新的工作状态，驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。

开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。

一般情况下， 截止损耗比导通损耗大很多。因为导通变截止时，功率管大电流突然降为0时，产生较大的反激电压，从而使开关管功率损耗比较大。减少开关损耗， 关键是减少截止损耗 。

通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。

功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。

再简单一点，就是考虑更好的散热吧。功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。

boost电路损耗

Buck电路是降压电路。而boosT电路是升压电路。他们两者的开关损耗与开关的波形有关系与占空比有关系，如果波形一样占空比一样，那么他们的开关损耗是一样的。

此时电阻的端电压除以电阻就是对应的饱和电流了。另外，不知你的电感是什么磁性材料，不同的材料在不同的频率下损耗是不同的。该损耗会影响测量的精度。因为纯电感对应无功功率，而损耗是有功功率，相当于一个等效电阻。

做升BooSt电路效率不高是肯定的。电压比相差不多还好些，电压提升比较大损耗主要产生在次级线圈的层间匝间电容消耗上，电感提升消耗在电感上。输出电流小尽量采用倍压整流来提高效率。

boost电路IGBT作为开关管，其损耗在于以下方面：1，自身的导通电阻。2，驱动信号的上升沿和下降沿时间。

多电平boost输出电压升不上去的原因是损耗太大。具体损耗来自三方面，mos管，二极管，电感，让它带负载工作一下，看看哪里热，就是哪里出了问题。其次也可以增大频率，增大电感试试。

如何定义通态损耗和断态损耗?

1、有开通、关断、通态损耗。在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。

2、开通关断通态损耗这些损耗带来的影响是什么， 开通损耗PTT，PFT PTT、PFT是开通期间超过通态损耗PT(晶闸管)或 PF(二极管)的耗散功率。它是由载流子存储效应和载流区域的延迟传输造成的。

3、导通损耗与关断损耗，两者与工作频率关系不大，谁点主导取决于通断的占空比。与开关频率相关的主要是过渡过程的损耗。这要看开通及关断上升及下降斜率，当上升下降斜率一定时，频率越低，所占时间比率越小。例如脉宽50微秒。

4、通态损耗。电力电子器件的损耗主要包括有开通、关断、通态损耗，在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，开通、关断损耗很小。

5、与功率开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。

开关损耗的成因

开关损耗另一个意思是指在开关电源中，对大的MOS管进行开关操作时，需要对寄生电容充放电，这样也会引起损耗。

与功率开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。

通态损耗。通态损耗是器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而成为器件功率损耗的主要因素。

为什么温度越高开关损耗越大？因为温度越高就说明电阻越大，那么在使用的过程中消耗自然会越大，所以说温度越高，开光损耗越大。

经常开关电器，要看开关什么电器。普通的电器如三楼所说的差不多，就不再赘述了，有些电器如电动机，起动电流是额定电流的4-7倍，若经常开关的话，电机绕组的损耗增加，线路损耗也增加，因此耗电自然增加。

请问大家,续流损耗怎么理解?怎么buck就没有这个损耗了?

1、Buck电路是降压电路。而boosT电路是升压电路。他们两者的开关损耗与开关的波形有关系与占空比有关系，如果波形一样占空比一样，那么他们的开关损耗是一样的。

2、不会的！任何变压器在空载运行时都有损耗，变压器的损耗分铜损和铁损，铜损是电流流过绕组时，由于绕组的电阻所产生的，电流越大，损耗越大，当然空载时次级无电流，没有损耗，但初级还是有电流的，所以空载也是有铜损的。

3、变压器加上电就会有损耗，接上负载损耗后损耗还会增大。没有损耗只能是你的测量误差太大了。

4、我们知道，BUCK电路主要是利用电感使电流增加或减小，电感储能和释放；来工作的。所以不能省掉电感。此类电路属于恒流电路，没有电感不能实现最大功率点跟踪。

开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗?

减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。

开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。

MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身 内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。

就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗，因为开关管并不是理想器件，管子的导通和关闭都需要一定的时间，所以也就衍生出了以后的ZVS（零电压关断）与ZCS（零电流关断）的研究，这个楼主有兴趣可以看一下。

米勒平台时间内，Vds开始下降，米勒平台的持续时间即为Vds电压从最大值下降到最小值的时间。

MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。

关键词：可变电阻 电容 开关器件 导通电阻 等效电阻 电压除以电阻 mos管 电阻 电阻的

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