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耐压值,额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数,其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
毫安。根据该mos管简介可知,该mos管的电压为500毫安。MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。
N65是15A,650V,N沟道功率MOSFET 20N60是20A,600V,N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A,是可以的。600V电压少于650V,这个就不一定了,如果负载小于600V就可以,如果负载大于600V,就不行了。
一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。
MOS管主要参数如下:开启电压VT-开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压;-规范的N沟道MOS管,VT约为3~6V;-经过工艺上的改良,能够使MOS管的VT值降到2~3V。
市面上的小功率管gm可以很高,但大功率管的话,gm一般都很小。
跨导的单位为S(西),为欧姆的倒数,即1S=1/Ω。此定义适用于任何电压控制型放大元件,如电子管(真空三极管)、场效应管等。
1、V70A,600V72A的MOS,600V74A,600V77A,600V80A,600V85A,600V88A的MOS,600V90A,600V95A,600V100A,600V110A,600V120A的MOS管。
2、MT3205是茂钿公司生产,IRF3205是IR公司生产,期参数差不多,都是55V/110A,内阻MT的2毫欧稍小与IR的8毫欧,完全可以替换。
3、耐压值,额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数,其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
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