可控硅模块和可控硅（可控硅模块用什么来控制）

发布时间：2023-05-13

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本文目录一览：

1、可控硅和可控硅模块
2、请问什么叫可控硅模块，他的工作原理是什么，用在哪些方面？
3、PK1105FQ160可控硅模块工作原理？
4、mcc可控硅模块型号意义
5、TMC可控硅模块与GBT可控硅模块的区别有哪些

可控硅和可控硅模块

可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司。

可控硅工作原理：可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它游升旦的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件神扰一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电笑誉器等方面争相采用的元件。

请问什么叫可控硅模块，他的工作原理是什么，用在哪些方面？

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关姿闷断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1

表1 可控硅悄州导通和关断条件

状态条件说明

从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位

2、控制极有足够的正向电压和电流

两者缺一不可

维持导通 1、阳极电位高于阴极电位

2、阳极电流大于维持电流

两者缺一不可

从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位

2、阳极电流小于维持电流

任一条件即可

2、基本伏安特性

1）反向特性

当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。

（2）正向特性

当控制极开路，阳极上加上正向电压时），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压

由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪迹运弯崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。

这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，

3、触发导通

在控制极G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

PK1105FQ160可控硅模块工作原理？

可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类。

可控硅工作原理：

当正电位加到器件的阳极时，在一定的电压范滚判围内，器件仍处于关断状态。然而，当正电压大于一定的电压时，该器件迅速转变为低电阻传导状态。当加在可控硅阳极和阴极之间的电压低于磨合电压时，该器件就会关闭。

可控硅具有三个PN结(J1、J2、J3)，构成了四层P1N1P2N2结构。可控硅对外有三个电极，由第一层P型半导体引出的电极称为阳极A，由第三层P型半导体引出的电极称为控制极G，由第四层N型半导体引出的电极称为阴极K，其中控制极G的存在使得可控硅的燃袭工作特性不同于二极管。

当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制大段改极G端输入正向触发信号，使得BG2管有基极电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。而ic2沿电路流至BG1的基极，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。

此电流又流回BG2的基极，使得BG2的基极电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。

由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制极G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。