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mos管损耗（mos管损耗与哪些参数有关）

发布时间：2023-05-29
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开关电源中,开关管的功率损耗怎么计算?如MOS管,作为开关的晶体管...

1、一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。

2、MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失。

3、开关电源IC一般考虑的是效率，效率=P输出/P输入。

4、就要算输入 如果你要控制你电源后端的功率，就要算输出部分。输出功率是告诉你，这个开关电源能够带多大的负载。输入功率是告诉你该电源的最大消耗功率是多少。

5、开关电源功耗正确的测试方法：接入稳压电源，后面输出串联电流表，接好负载，通电。

6、假设开关电源的效率为0.85，那么12V1A输出时输入功率为12/0.85=112（W），也就是说大约有112-12=12（W）的功率浪费了。如果开关电源带有待机功能的话，按国际标准，空载时功耗不得超过1W。

如何避免MOS管开关易损失的情况?

1、对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。

2、没有图？MOS管是很娇气的，静电损坏是常事，注意开发设计环生产境的防静电1。

3、它们的管脚排列（底视图）MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

4、如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。另外，负载处除了主要的电解电容，可以加一些钽电容试试。顺便说一下，光耦牵扯一个反逻辑的问题，不知道你注意了没有，如果没有在后面的驱动处最好做一下修正。

5、(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。(5)根据情况施加隔离。

mos管的功率和功耗分别是什么?

1、功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。

2、mos管的最大功耗取决于管子允许的温升，最好功耗确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

3、如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗?

减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。

开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。

MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身 内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。

就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗，因为开关管并不是理想器件，管子的导通和关闭都需要一定的时间，所以也就衍生出了以后的ZVS（零电压关断）与ZCS（零电流关断）的研究，这个楼主有兴趣可以看一下。

米勒平台时间内，Vds开始下降，米勒平台的持续时间即为Vds电压从最大值下降到最小值的时间。

MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。

ic半导体料管

PVC：PVC其实是一种乙烯基的聚合物质，其材料是一种非结晶性材料。PVC材料在实际使用中经常加入稳定剂、润滑剂、辅助加工剂、色料、抗冲击剂及其它添加剂。具有不易燃性、高强度、耐气侯变化性以及优良的几何稳定性。

是指电子管和晶体管，现在泛指用半导体材料制造的基本电子产品，如：二极管、三极管、场效应管、集成电路等。其它制造电子整机用的基本零件称为元件，如：电阻、电容、电感等等。所以又称有源器件。

IC就是半导体元件产品的统称，IC按功能可分为：数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用最广、发展最快的IC品种。

这样说不正确啦。严格来说半导体一词，是指用于电子工业生产中的一种原材料，也是制作IC芯片或晶体管的基础原料。而半导体就是晶体管的说法，只是一种民间通俗化流行了的简称方式。

mos管低温会怎样

光mos继电器低温失效的原因和采取措施如下：温度效应：光MOS继电器中的MOS管受温度影响较大，当温度降低时，MOS管的导通能力会下降，从而导致继电器失效。

低频的温和度比晶体管功放差，MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏，MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。

质量问题。mos管OS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管的产品。并且该产品低温不工作是质量问题的。并且该产品的质量是非常好的。

通电的MOS场效管通电的介资纯度不够，导制电阻变大，温度升高，我们知道，超导现现象是在低温下实现的，所以在低温下，导电介质是低阻抗的，一旦通电由于通电介质纯度不高，电阻很高，P=U*I*R，就会烧坏管子。

MOS管击穿之后会有什么现象：如果没有限流措施，击穿后管子将烧毁，甚至会砰一声炸裂。

第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。

关键词：电解电容 极间电容 电容 ic半导体 输入电阻 mos管 光耦 钽电容 电阻

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