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所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。不过MOS管并不是没有缺点的,由于MOS管的栅电容的天然缺点,会影响它的开关速度,同样用途的管子,一般BJT要比MOS的速度更快。
MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动,三极管是电流驱动。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
你好,MOSFET是可以用于开关电源电路的。目前的电源技术的发展方向就是MOS管和IGBT取代普通开关管的。高耐压型的MOS管也能做到1KV以上了,配合适当的外围电路,能够稳定可靠的工作。
军工级芯片:一般范围为-55℃至+150℃;要根据产品的使用场合选择合适的芯片 根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数,如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势:输入阻抗高。输入阻抗之高,是普通大功率三极管无法比拟。
1、主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
2、功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
3、三极管简称晶体管,分为NPN型和PNP型两种,是最重要的一种半导体器件。它用于放大作用和开关作用。MOS管也称为场效应管,是一种较新型的半导体器件。外形与普通晶体管相似,但两者的控制特性却截然不同。
4、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管,比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件,这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
5、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,成本问题:三极管便宜,mos管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
电力场效应晶体管管MOSFET,目前能生产出的电压在1200V 电流在300A。它有点在于输入阻抗高,属电压型控制器件,可以直接与数字逻辑电路连接,且驱动电路简单,功耗小。 开关速度快,约是GTR的10倍,而且开关功耗小。
电子管,晶体管,三极管,场效应管,MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同:电子管,由发热灯丝发射电子,靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力,属电压控制电流型器件。
区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管,比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件,这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
场效应管与晶体管的区别:(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,丢信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。场效应管是多子导电。而晶体管的两种载流子均参与到点。
mos管与场效应管是一个概念。mos管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控型的,由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。mos管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10v左右。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
但是栅极对源极和漏极一定是不导通的,mos管也一样,mos管也是场效应管的一种,只是输入阻抗更高而已。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
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