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二极管雪崩（二极管雪崩击穿时间）

发布时间：2023-05-29
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本文目录一览：

雪崩二极管的工作原理

因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。

齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。

雪崩二极管的工作原理是：利用p－n结的雪崩击穿在半导体中注入载流子，这些载流子渡越过晶片流向外电路。

半导体雪崩光电二极管的工作原理

1、雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。

2、由于电子-空穴对的产生而产生光电流。当能量超过1eV的光子撞击二极管时，就会形成电子空穴对。当光子进入二极管的耗尽区时，它以高能量撞击原子。这导致电子从原子结构中释放。电子释放后，产生自由电子和空穴。

3、原理：普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只有微弱的反向电流可以流过。在设计和制造光电二极管时，PN结的面积应该比较大，以便接收入射光。光电二极管在反向电压的作用下工作。没有光线时，反向电流极弱，称为暗电流。

二极管雪崩击穿时间

肖特基的雪崩一小时时间会烧管。雪崩二极管是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。

雪崩二极管，亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。

齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。

击穿”都是可恢复的！实际上掺杂浓度决定了击穿类型。

电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

为什么二极管的雪崩击穿是正温度系数?

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。

所以，需要增加外加电压，在加速时间减小的前提下，才能达到雪崩击穿的能量。所以，雪崩击穿的击穿电压是正温度系数。

齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中，当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层很薄，载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞电离。

温度越高，电子、空穴越活跃，结对的越多，电场厚度越小，电阻也就越小。

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