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igbt工作原理和作用是:IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
功率半导体器件,在大多数情况下,是被作为开关使用(switch),开关,简单的说,就是用来控制电流的通过和截断。
IGBT是可控器件,即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件,将母线上的直流电转化为交流输出,也就是常说的逆变单元。
功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。作为基础内容,书中详细描述了上述器件的工作原理和特性。
而功率MOSFET由于是单极型器件,电流处理能力相对较弱,但由于其在开关过程中,没有载流子存储的建立与抽取,其频率特性好,用于高频低压领域。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,具有电导调制效应,其通流能力很强,但是开关速度较慢,所需驱动功率大,驱动电路复杂。
MOSFET优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。
IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTO具有再生性质(regenertive nature),因此导通的 GTO,其闸极驱动功率较功率电晶体小,但是比SCR大些。
IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz(1000KHz),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
功率放大器是一种具有失真小、噪音低、动态范围大等特点的放大器,在音质的透明度、解析力,背景的宁静、低频的震撼力度方面是传统功放不可比拟的,下面Agitek安泰电子总结了它的特点:一:高保真。
理想的功率放大器与理想的运算放大器的要求是相同的,运算放大器算是小功率或是微功率,而功率放大器比运算放器的功率大,或者说大很多。换句话说,功率放大器就是将运算放大器,即扩压又扩流。电压高了,电流大了,所以功率就大了。
这样,它可以在很宽的范围内变换工作频率,而不必重新调谐。
集成功率放大器具有输出功率大、体积小、使用方便等优点。$只需在器件外部适当连线,即可向负载提供一定的功率。因此在收录机、电视机以及伺服放大系统中广泛采用了各种专用集成功率放大器。
.单管GTRNPN三重扩散台面型结构是单管GIR的典型结构,这种结构可靠性高,能改善器件的二次击穿特性,易于提高耐压能力,并且易于耗散内部热量。
GTR(电力晶体管)耐高压,电流大开关特性好。GTR 耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低 开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
,电力晶体管(GTR) 。3,门极可关断晶闸管(GTO) 。4,功率场效应晶体管(Power MOSFET) 。
变频器(Variable-frequency Drive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。
单极型器件也称场效应管,简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型器件。
半导体也就是收音机的别称,主要包括机械器件、电子器件、磁铁等构造而成。
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