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igbt工作原理和作用是：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
功率半导体器件，在大多数情况下，是被作为开关使用（switch），开关，简单的说，就是用来控制电流的通过和截断。
IGBT是可控器件，即可通过开关信号控制它的门极实现CE间输出关断。现在热门的高铁、风电、光伏、电动汽车等新能源行业中DC-AC的开关器件，将母线上的直流电转化为交流输出，也就是常说的逆变单元。
功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。作为基础内容，书中详细描述了上述器件的工作原理和特性。
而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。
MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTO具有再生性质(regenertive nature)，因此导通的 GTO，其闸极驱动功率较功率电晶体小，但是比SCR大些。
IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。
功率放大器是一种具有失真小、噪音低、动态范围大等特点的放大器，在音质的透明度、解析力，背景的宁静、低频的震撼力度方面是传统功放不可比拟的，下面Agitek安泰电子总结了它的特点：一：高保真。
理想的功率放大器与理想的运算放大器的要求是相同的，运算放大器算是小功率或是微功率，而功率放大器比运算放器的功率大，或者说大很多。换句话说，功率放大器就是将运算放大器，即扩压又扩流。电压高了，电流大了，所以功率就大了。
这样，它可以在很宽的范围内变换工作频率，而不必重新调谐。
集成功率放大器具有输出功率大、体积小、使用方便等优点。$只需在器件外部适当连线，即可向负载提供一定的功率。因此在收录机、电视机以及伺服放大系统中广泛采用了各种专用集成功率放大器。
．单管GTRNPN三重扩散台面型结构是单管GIR的典型结构，这种结构可靠性高，能改善器件的二次击穿特性，易于提高耐压能力，并且易于耗散内部热量。
GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好。GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。
，电力晶体管（GTR） 。3，门极可关断晶闸管（GTO） 。4，功率场效应晶体管（Power MOSFET) 。
变频器（Variable-frequency Drive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。
单极型器件也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型器件。
半导体也就是收音机的别称，主要包括机械器件、电子器件、磁铁等构造而成。
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