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mos管的体二极管（mos管的体二极管能过多大电流?）

发布时间：2023-05-30
阅读量：79

本文目录一览：

怎么用mos管实现二极管

只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

二极管加mos控制放电方法如下：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。如果说把一个交流电加在了二极管的两端，电流只能从二极管的正极流入，简称二极管(diode)。

二极管就是二极管，非常多，为什么要用MOS管实现呢？要是用三极管，还可以当二极管用。用C-B两个脚，就是二极管。

用单片机的输出口连接MOS管的控制极，MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1，即可控制发光二极管的亮灭。

MOS管的体二极管能通过多大电流

这种情况下，管子的压降往往比体内二极管小，故S到D电流不会通过体内二极管，实在不行换一个，或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。

什么叫体二极管

1、对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。NMOS中，体二极管方向是衬底向D（D极是N型材料），极S向D；PMOS中，方向为D向S。

2、二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。

3、体效应二极管，是利用半导体某些体内性质受外界作用而发生变化的原理制成的器件。除欧姆接触之外，它不含有PN结及其他界面。光电导型探测器、热敏电阻、霍尔器件和电子转移器件(耿氏二极管)均属于体效应器件。

4、晶体二极管是固态电子器件中的半导体两端器件。起源于19世纪末发现的点接触二极管效应，发展于20世纪30年代，主要特征是具有单向导电性，即整流特性。

5、二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

MOS管上的二极管什么作用

MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。

一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出，就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构，漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向，没有这个二极管。

这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

这个叫寄生二极管，当电路中产生很大的瞬间反向电流时，就可以通过这个二极管导出，保护了MOS管的D极和S极。如果没有这个二极管，就有可能击穿这个MOS管了。

mos管旁边并以二极管用于，防止mos管反向击穿。大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。

mos如何管构成二极管

1、只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

2、二极管就是二极管，非常多，为什么要用MOS管实现呢？要是用三极管，还可以当二极管用。用C-B两个脚，就是二极管。

3、什么是PN结？PN结的正接与反接？P（+）接正极，N（-）接负极为正接，反之为反接。扩散电流才是主流；漂移电流即为反向电流，随温度变化而急剧变化。二极管和PN结关系？二极管由PN结加上引线和管壳组成。

mos管栅源短接相当于什么

1、mos管坏了不可以直接短接，通过MOS管实现一定功能，比如稳压，通断功能，如果短接电源直接跨过MOS管，所有功能失效，会损坏设备。mos管是由输出信号控制的开关管，启动稳压的作用，如果短接就没有反馈控制导致电路烧毁。

2、呵呵，其实楼主看看MOS的结构图就清楚了，比如对于NMOS来说，是做在P型衬底上的，它的D和S都是N型的，中间的沟道就是P型的，这就形成了NPN结构。在CMOS电路中，有个很重要的闩锁效应就是这个寄生NPN三极管的导通。

3、场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

4、控制漏极源极之间导通沟道的夹断和导通电阻。

5、只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

6、以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。

关键词：mos管 二极管方向 二极管的 发光二极管 电阻 二极管只要 二极管1 二极管串联 mos管的体二极管 耿氏二极管

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