开关器件主要损耗（开关器件有哪些）

发布时间：2023-05-30

阅读量：57

本文目录一览：

1、减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。

2、开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中，MOS处于恒流区时所产生的损耗。开关损耗远大于导通损耗。减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。

3、MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。

功率器件的开关损耗；变压器的变换损耗；整流部分的变流损耗。

开关损耗另一个意思是指在开关电源中，对大的MOS管进行开关操作时，需要对寄生电容充放电，这样也会引起损耗。

就是上升的电压与下降的电流之间造成的交流损耗，因为开关管并不是理想器件，管子的导通和关闭都需要一定的时间，所以也就衍生出了以后的ZVS（零电压关断）与ZCS（零电流关断）的研究，这个楼主有兴趣可以看一下。

电能损耗是功率损耗对时间的积分。功率损耗是指某一电网电路能源输入输出转化过程中损失的功耗。电压损耗就是指输电线路首端电压的模和末端电压的模之差。U损耗=，U1，-，U2，。

一般开关电源的效率（220v-48v）大于80%，效率以80%计算，它的功耗就等于负载功率/80%。

开关电源的损耗主要有变压器线圈的直流电阻损耗，这个频率越高损耗越小。磁芯涡流损耗，磁芯要工作在合适的频率范围和磁感应强度上过饱和则易损坏开关管，损耗也大。

开关器件主要损耗（开关器件有哪些）

1、通常情况下电力电子器件功率损耗主要是器件发热，谐波，容抗，感抗等原因造成器件功率损耗。

2、、开关器件（IGBT mosfet什么的）的电容和电感能量转化造成的电能损失，整体上来说就是 Won Woff WD WC WL on的就是导通时的，off开关过程中的，D是二极管的，C L是电感电容的。

3、主要工作在开通和关断两种状态，随着其开关频率的增高，器件的开关损耗会增大。

4、有功功率的损耗主要是摩擦和电路中电阻产生的热量，被消耗了。变压器的有功功率损耗包含铁损耗和铜损耗，前者因磁滞、涡流产生热量损耗；后者是线阻通过输出电流产生损耗。

5、器件损耗、导线电阻的损耗；前者与额定功率有关，后者与导线材料、导线截面、长度和电压高低有关。

1、与功率开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。

2、因此，GTR在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。

3、因此，电力晶体管在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。

4、三极管功率损耗是指三极管的集电极电流和集电极与发射极电压的乘积。这里无论是电压还是电流都是极限值，所以其乘积也就是最大值啦。

5、可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管，是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通，门极加负脉冲信号触发管子关断，因而属于全控型器件。