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led发光二极管电压 电压范围LED(发光二极管)的工作电压随制造材料不同也不同。
发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。
发光二极管具有指示灯的作用。发光二极管,简称为LED,是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用广泛。
LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
LED发光二极管电压范围 LED(发光二极管)的工作电压随制造材料不同也不同。
1、发光二极管的发光材料是硅和锗等材料制作成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。
2、LED五大原物料分别是:晶片,支架,银胶,金线,环氧树脂。晶片的构成:由金垫,P极,N极,PN结,背金层构成(双pad晶片无背金层)。晶片是由P层半导体元素,N层半导体元素靠电子移动而重新排列组合成的PN结合体。
3、发光二极管(LED)的核心发光材料是磷砷化镓,透明外壳是环氧树脂,引脚是金属铁的。
4、LED五大原物料分别是指:晶片,支架,银胶,金线,环氧树脂。发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。
发光二极管是一种利用半导体发光的晶体管,有二个脚,一个正极,一个负极,现在用的指示灯就是用发光二极管组成的,用处很多,现在很多交通指挥灯、电视墙、手电筒等等都是利用发光二极管组成。
发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。
工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可发光);抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。
发光二极管(LightEmitting Diode,LED),是一种半导体组件。初时多用作为指示灯、显示发光二极管板等;随着来沃led照明白光LED的出现,也被用作照明。
1、发光二极管简称为LED。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。
2、LED是发光二极管,很小的发光的灯(LED LAMP)。
3、LED即发光二极管,是一种半导体固体发光器件,它是利用固体半导体芯片作为发光材料,当两端加上正向电压,半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生光。LED 可以问直接发出红、黄、蓝、绿、青、橙、紫、白色的光。
4、发光二极管简称为LED。是电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。
5、LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,也即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。
6、LED(LightEmittingDiode,发光二极管)的基本结构是一块电致发光的半导体材料,其核心部分是由p型半导体和N型半导体组成的晶片,在p型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为pN结。
1、发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。
2、LED发光二极管特点 安全性高:LED灯珠的工作电压一般是0-0V之间,所以安全性高,即使触电,也没有危险。运用灵活:由于体积很小,所以可以灵活运用,做成各种体积、各种类型的灯。
3、LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
4、发光二极管是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。
5、以常用的普通红色发光二极管为例,其正向导通压降的范围为5V-6V,工作电流最大不超过22mA。所以,发光二极管不存在最佳的工作电压的说法,通过选取不同的限流电阻都可以使发光二极管正常工作。
6、当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。
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