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这两个电阻的选定要求不是很高,因为可控硅一旦导通,两端电压几乎为零,这样虽然电源电压有交流110V,但是对可控硅触发和光耦来说,只是一个脉冲,不会因为触发电流太大而烧坏。
可控硅的导通的条件:两级有电压,G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时,光耦导通,两个电阻RR10和光耦形成回路。
上面的360R的电阻是触发电路中的限流电阻,下面的电阻是防干扰电阻,去掉也可以工作。
MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件。
MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
你用光耦的目的是为了隔离。光耦的输出端等同一个三极管没有基极。集电极发射极的导通和截止依靠光耦输入端内部发光二极管控制。现在的问题是如何与可控硅连接。
是图画错了?如果是这样接线的话,这个双向可控硅是长期导通的。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的,因为这4种光耦均属于非线性光耦。
选取如下:光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。
在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数,选取原则如下:①光耦合器的电流传输比(CTR)的允许范围是50%~200%。
你好!接通电磁阀线圈(一般小于10W)可用BT136可控硅,光耦触发电阻选330欧姆,保护电阻100欧姆,保护电容选0.1u~0.022/1000v,CBB21,这种小负载也可不用保护电阻,电容。如有疑问,请追问。
建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数,建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式,3041是过零触发器件,需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦。
1、欧电阻是防止误触发可控硅的。可控硅触发电流是在T1和G脚间,负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。
2、是的,可以理解为短路,不管有没有有效触发,你都可以试着将此两脚直接短路的,这样的话,负载就直接得电工作了。
3、MOC3063是个带双向可控硅的光耦,BTA16为双向可控硅,即由单片机PWM_3063经光耦隔离控制可控硅的导通,低电平时加热模块通电加热。另外R26和C33组成浪涌吸收电路,防止浪涌电压损坏双向可控硅。
4、你用光耦的目的是为了隔离。光耦的输出端等同一个三极管没有基极。集电极发射极的导通和截止依靠光耦输入端内部发光二极管控制。现在的问题是如何与可控硅连接。
把负载放到上面,串联在第一阳极上。 去掉R5,直接短路。
原理:光耦的2没有驱动时,6之间断路,可控硅不会导通;当2之间有驱动电流,内部的发光二极管导通,6之间低阻,在可控硅过零点几伏时可控硅就会导通。
可以,修过el3023控制双向可控硅接发300W的发热丝。实现调整发热丝的温度。
1、很简单!使用MOC3020光耦,6脚串一个180欧左右的电阻接在可控硅的A1与G极之间即可。
2、MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
3、可用双向可控硅光耦控制两可控硅的控制极的连接即可。欲做调压,至少两可控硅需要单独隔离控制。你好好看看教科书中,各种可控硅的控制方法。从你的设计的电路可看出,你的可控硅方面的理论水平还太低。加强学习才是。
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