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控制220V交流电压不用MOS管，因为MOS管的源漏极间雪崩电压通常只有几十伏，而220V交流电压的峰值达308V，远超出MOS管的耐受能力。
场效应管不能直接控制交流电的，可以选用双向可控硅，这样无触点开关，就不会造成单片机干扰重启了。或者用固态继电器也可以，实际上固态继电器里面也是可控硅。
因为mos管通入的是交流电。MOS管通常被用作电源开关使用，通常使用PMOS做为上管，将NMOS做为下管使用。当然也有反过来使用的场景，但使用较少。此贴为科普贴，就不做累述了。
可以用中间继电器（直流24V线圈）的辅助触点控制交流接触器的吸合或断开，间接的控制电机的启停： 上图中的红圈位置，是中间继电器的插座，11和10端子是继电器的线圈，加载DC24V后吸合。
如图不可以，因为它工作在直流电源，而你设计在交流电源，必须把交流和直流采用全桥整流电路配合，这样才可以使用。
1、直接看型号就知道了。用万用表测一下三只脚的阻值，如果能导通的就是 场效应管，不能导通的就是可控硅。
2、场效应管与晶体管的区别：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
3、晶闸管---俗称可控硅， 一种大功率开关型半导体器件， 可控开与关、单向导电(也有双向可控硅)。一般用于大功率整流电路或直流开关(双向可控硅用于交流开关，电煽调速等)。可控硅没有线性放大功能， 只有开与关功能。
4、场效应管与可控硅区别 三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
MOS晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管，利用半导体的场效应，进行信号放大。
MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
mosfet是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。
三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。
可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。
MOS管是单极性器件，晶闸管是半控器件。晶闸管的正极相当于MOS管的漏极，门极相当于MOS管的栅极，阴极相当于MOS管的源极。控制是有所区别的，晶闸管是半控型器件，MOS管是全控型器件，至于要多了解，得从结构上去理解。
MOS管与场效应管是一个概念。MOS管是全控型的，是电压驱动的；晶闸管是半控型的，由电流驱动的。可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅。MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差，一般10V左右。
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