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1、太阳电池的短路电流密度由光子流密度和光谱响应、太阳电池表面的反射率决定.基区掺杂浓度减小，增大了基区的少子寿命或扩散长度，使载流子的损失减少，因此增大了长波光谱响应。
2、相对于应用而言，电阻率当然是越高越好。电阻越高，少子寿命越长，光电转化效率越高。但是，对于生产而言，电阻率越高，物料需要越干净，相应成本也就越高。从运营角度而言，以市场需求为指导方向。
3、这使得高阻硅片的电阻率非常高，在10^3-10^6Ω.cm之间。载流子浓度低：高阻硅片的硅晶体中几乎没有自由电子和空穴，因此其载流子浓度非常低，在10^10/cm^3以下。
电阻率 越大越好，因为这时硅片纯度较高（排除反型掺杂）。从 制造成本 来说，硅片纯度越高，则 工艺过程 成本越高。所以用硅片制造不同的 器件 ，用相应电阻率的硅片即可。
电阻率过大说明硅片掺杂偏少，或者硅片基体含有补偿性杂质，如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低，短路电流Isc高，转换效率Eta不好说；后者不仅开压低而且短路电流低，转换效率一定低。
晶圆阻值不是越大越好。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，从硅片的使用来说，电阻率越大越好，这时硅片纯度较高，从制造成本来说，硅片纯度越高，则工艺过程成本越高。
仅仅从“硅片电阻率达到50之高”，不好说“这样的硅片好不好”。硅片的电阻率可以是0.001~1000欧姆.厘米。关键看对你要做的工艺适不适合。
有关。硅片电阻率的大小与材料的特性及膜层的厚度有关，厚度越大，横截面积越大，单位时间内通过的电流越大，电导率就能看出来比薄的大，电阻率小。
这就好像个体与整体的差异。硅片是硅棒切出来的，每一张硅片电阻率反映的是硅棒上某一位置的电阻率。
里面的离子杂质， 位错扩散，漂移， 都会导致电阻率变化。
如果是温差引起的阻值变化，很正常；如果是热敏电阻就更正常了。比如你用手拿着测量时。比如经过加热的电阻和冷却后，或多或少都会有变化，常温变化，是允许误差的。
电阻率过大说明硅片掺杂偏少，或者硅片基体含有补偿性杂质，如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低，短路电流Isc高，转换效率Eta不好说；后者不仅开压低而且短路电流低，转换效率一定低。
1、答案：金属薄膜厚度越厚金属薄膜电阻越小。根据电阻定律r=ρl/s，金属薄膜的电阻率确定、长度确定，金属薄膜厚度越厚，横截面积越大，金属薄膜电阻越小。
2、电阻率过大说明硅片掺杂偏少，或者硅片基体含有补偿性杂质，如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低，短路电流Isc高，转换效率Eta不好说；后者不仅开压低而且短路电流低，转换效率一定低。
3、材料电阻率主要受原子密度、电子层厚度、电子密度、核质量、原子活性、环境温度控制。原子间结合越紧密电子层厚度越大、电子密度越小、原子活性越低、核质量越小、环境温度越低则材料电阻率越小。
4、单从硅片的使用来说，电阻率越大越好，因为这时硅片纯度较高（排除反型掺杂）。从制造成本来说，硅片纯度越高，则工艺过程成本越高。所以用硅片制造不同的器件，用相应电阻率的硅片即可。
5、四探针测试仪测硅片电阻率时，N型和P型的硅片都可以测。比如用于做电力元件的硅片是N型的，用于做太阳能电池的硅片是P型的（有的），这些硅片用四探针测试仪都能测。这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。
6、你好！与厚度是有关系的，（BEST-121）体积表面电阻率测试仪，适用于橡胶塑料薄膜绝缘材料，厚度在一毫米之间最好。仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。
这两个电阻的选定要求不是很高，因为可控硅一旦导通，两端电压几乎为零，这样虽然电源电压有交流110V，但是对可控硅触发和光耦来说，只是一个脉冲，不会因为触发电流太大而烧坏。
接下来可以计算出所需的电阻值。根据NPN晶体管的工作原理，可以得到以下公式：IB=IF*CTR，其中CTR是光耦的传输比，表示光耦输入光功率与输出电流之间的比值。因此，可以得到CTR=IB/IF=10mA/10mA=1。
光耦的输入端可以看做一个发光二极管来计算。限流20ma。输入电压减去二极管压降再除以20ma就是r1的阻值。
可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。
，驱动电流一般在2~20mA 2，对普通光耦来说，一般不提输入电阻。
单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。
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