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半导体电力开关器件（半导体电力开关器件有哪些）

发布时间：2023-05-30
阅读量：52

本文目录一览：

什么是半导体功率器件

“power semiconductor device”和“power integrated circuit(简写为power IC或PIC)”直译就是功率半导体器件和功率集成电路。

功率半导体器件，以前也被称为电力电子器件，就是进行功率处理的，具有处理高电压，大电流能力的半导体器件。典型的功率处理，包括变频、变压、变流、功率管理等。

功率半导体器件又被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础，也是构成电力电子变换装置的核心器件。作为基础内容，书中详细描述了上述器件的工作原理和特性。

功率半导体器件，也叫电力电子器件均具有导通和阻断两种工作特性。原理是：通过控制门极信号控制功率半导体器件的导通和关断。半控型器件，只可控制其导通，不可控制其关断。全控型器件，导通和关断都可控制。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

大功率电力电子装置常用的功率半导体开关器件都有哪些

超大功率晶闸管 脉冲功率闭合开关晶闸管 新型GTO器件-集成门极换流晶闸管 都是的。

大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相应的电流等级。

功率：（1）在直流电路中，功率为电压乘以电流，我们约定，在关联参考方向下，给定电路中元件上的电压电流大小之后，计算得到的功率数值大于0时，称元件“吸收”功率（能量），小于0时称元件“发出”功率（能量）。

其中，IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

半导体也就是收音机的别称，主要包括机械器件、电子器件、磁铁等构造而成。

简述半导体开关和金属开关的区别

原理不同：可控硅开关是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为V，VT表示。开关有时会在接点上电镀抗腐蚀金属。一般会镀在接点的接触面，以避免因氧化物而影响其性能。

注1)：小间隙结构开关在处于断开位置时，触头距离为3mm至1．2mm的开 注2)：微间隙结构开关是处于断开位置时，触头距离小于1．2mm的开关。注3)：带半导体开关装置的开关是无触头间隙的开关。

金属不存在带隙，对光的吸收与半导体和绝缘体的情况有区别，具体怎样的我就不知道了。

无触点开关分为磁放大器式无触点开关，电子管、离子管式无触点开关和半导体无触点开关。

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