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可控硅门极电流（可控硅门极触发电压怎么测）

发布时间：2023-05-30
阅读量：86

本文目录一览：

双向可控硅的门极触发电流从哪里得到?

1、首先需要指出的是你图中是两个单向可控硅而不是双向可控硅，按照你假定的交流流向，可控硅门极电流循行路径应该是：T1-左可控硅阳极至控制极-限流电阻-3021内部双向可控硅-负载-T2。

2、实际应用中，为了可靠地工作，可控硅的（电路设计时）触发电流都是大于10mA的。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

3、，触发导通 在控制极G上加入正向电压时，因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。

4、双向可控硅触发电流一般要看管子的大小。可控硅的选型要视电路电流大小，可控硅不允许满载工作，大功率要考虑加装散热器防止过热击穿，使用在220V选用1000V断态峰值电压，380V选用1600V断态峰值电压。

可控硅门极电压电流问题

这两个双向可控硅的耐压都是600V，最大电流分别是16A。触发电压一般在2V以下，触发电流一般在5-30mA比较多。不是型号相同触发电流就一样的。触发电压和触发电流大了不要紧的，开关速度会加快。

这段时间的电压加在负载上，可以看出，随着加脉冲的时机不同，输出电压的时间段不同，其平均值不同，电压的平均值不同，当然电流的平均值也不同。所以可控硅即可以控制输出电压的高低，也可以控制输出电流的大小。

可控硅原则上不可以改变输出电流，改变输出电流其实是：改变可控硅的导通角调制输出电压，使输出电压降低，因为负载是一定的，负载阻值、阻抗等是一定的，但是随着负载的给入电压的降低，根据电压、阻抗、电流定律。

产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。

可控硅中IL是什么电流的参数?

1、IL是掣住电流。可控硅刚从阻断转为导通状态就将触发电压去除，此时保持可控硅导通所需的最小阳极电流叫掣住电流，用I(表示。对同一个可控硅来说，I(通常是IH的2~4倍)。

2、可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。

3、擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2--4倍。维持电流指的是在室温下，控制极开路，晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的最小电流。

4、它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

5、IH是维持可控硅导通所需的最小负载电流。通俗的理解就是当电流达到IH 这个数值，你就可以把触发信号去掉，而且可控硅继续导通到IL的时候关断。

可控硅BT151,500C的性能和参数,单向可控硅的耐压是多少,能承受最大电...

N5551是一种NPN型高反压三极管。直流电流增益hFE最小值(dB)：80 直流电流增益hFE最大值(dB)：250 集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V)：160 集电极最大电流Ic(max)(A)：0。

BT151是一只单向可控硅，额定电流5A，耐压800V。将万用表拨至Rx1Ω档，黑笔接阳极，红笔接阴极，用手捏触发极搭阳极，离开，就会看见表针偏转，证明可控硅已经导通。不触发的情况下，测量阴极阳极两脚阻值，不通为好。

单向可控硅BT151 一．技术参数：(1) 产品型号：BT151-500R，BT151-650R，BT151-800R。飞利浦PHILIPS兼容型号。(2) 封装形式：TO-220。环保产品符合RoHS标准。

性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。

其参数是：//耐压：600V//电流：4A//。②、关于以上那BT151属于单向可控硅，其参数是：//耐压：500V//电流：5A//。③、向以上X0405可控硅建议你最好还是别用BT151可控磁代换了，原因是BT151耐压低。

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