mos管和igbt（mos管和igbt哪个好）

发布时间：2023-05-13

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本文目录一览：

1、IGBT单管和MOS管的区别，MOSFET是MOS吗？
2、mosfet和igbt的区别
3、IGBT和MOS管的区别？

IGBT单管和MOS管的区别，MOSFET是MOS吗？

IGBT单管和MOS管的区别：

1、从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。

2、从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合，通过背面P型层的空穴注入降低器件的导数拆或通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题。

3、从产品来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有；MOSFET应用电压相对较低从十几伏到1000左右。

MOS就是MOSFET的简称

扩展资料：

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。

金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性薯伍影响也非常小。

当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的御唯情况。

由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。

当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。

参考资料：百度百科——mos管

mos管和igbt（mos管和igbt哪个好）

mosfet和igbt的区别

mosfet和igbt的区别如下：

1、结构以及应用区别

从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题。

从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右。

2、工作原理的区别

对于MOSFET来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，所以很容易实现极端的开关时间。PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀，所以可以用在高频场和，在低电压工晌掘作状态下，开关管动作损耗远低于其他组件，但是缺点是在高压状态下，压降高，并且随着电压等级的增大，导宴逗核通电阻也变大。

因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合。IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w,IGBT开关频率在40-50k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。

3、驱动电路区别

IGBT输入电容要比MOS大，因此需要更大电压驱动功率，mosfet一般在高频且低压的场合应用，即功率＜1000W及开关频率＞100kHZ,而IGBT在低频率高功率的场合表现较好。

简介

MOS管即MOSFET，中文全称是金属－氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

IGBT作为新型电子半指绝导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

IGBT和MOS管的区别？

焊机用IGBT管和MOS管的区别

MOS管一般用在小功率焊机上，MOS管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号轿激民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。

根据焊机结构慎明来说，MOS管在逆变电源里使用数量比较多，单个安数在9-20A，做到较大型号的焊机，400A或者500A的时候使用数量在32-40个，长时间容易出现频率不齐的问题。IGBT一般都是两个模块，只需要根据焊机型号来选择模块安数就可以了。肯定是IGBT的好用。IGBT是普遍用在工业机型上的元器件，耐压、电流安数、瓦数都要大宽帆告很多。

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